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刘其龙

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇单端
  • 1篇单端输出
  • 1篇电路
  • 1篇电压
  • 1篇电压波动
  • 1篇阈值电压
  • 1篇工艺波动
  • 1篇辅助电路

机构

  • 1篇东南大学

作者

  • 1篇柏娜
  • 1篇吕百涛
  • 1篇朱贾峰
  • 1篇刘其龙
  • 1篇吴秋雷

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种提高亚阈值SRAM存储单元工艺鲁棒性的电路
本发明公开一种提高亚阈值SRAM存储单元工艺鲁棒性的电路，该电路作为亚阈值SRAM存储单元的辅助电路，将该电路的输出连接到亚阈值SRAM存储单元内PMOS管及自身电路中PMOS管的衬底。该电路包括SRAM存储单元内PMO...
柏娜朱贾峰吕百涛吴秋雷刘其龙
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