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刘桂明

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇电路
  • 4篇金属
  • 3篇模型参数
  • 3篇沟道
  • 3篇半导体器件
  • 3篇III-V族
  • 2篇电路网表
  • 2篇电阻
  • 2篇网表
  • 2篇小信号
  • 2篇灵活度
  • 2篇晶体管
  • 2篇寄生单元
  • 2篇寄生电阻
  • 2篇沟道电阻
  • 2篇N型半导体
  • 2篇锗
  • 1篇低温退火
  • 1篇电极

机构

  • 12篇中国科学院微...

作者

  • 12篇刘桂明
  • 12篇刘洪刚
  • 11篇常虎东
  • 4篇王盛凯
  • 4篇韩乐
  • 4篇孙兵
  • 4篇赵威
  • 3篇周佳辉
  • 2篇杨旭
  • 2篇薛百清
  • 2篇王虹
  • 1篇郭浩

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法
本发明公开了一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法，属于微电子集成电路技术领域。该方法是通过焊盘和金属互联线去嵌，利用晶体管直流转移特性和冷态S参数确定提取晶体管寄生电阻时的合适偏置条件，然后在该偏置条...
刘洪刚刘桂明常虎东
一种控制锗表面形貌的方法
本发明公开了一种控制锗表面形貌的方法，该方法是将锗(Ge)置于纯氧或氧气(O<Sub>2</Sub>)与其它性质稳定气体的混合气体中，调节氧气(O<Sub>2</Sub>)分压和反应温度至高温低压工作区域，控制反应时间实...
王盛凯刘桂明刘洪刚孙兵赵威韩乐
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一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法
本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；利用含硫的钝化液对该n型半导体单晶锗片的表面进行钝化；以及在该钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属作为源漏接触。本发明提供的制作...
刘洪刚龚著靖王盛凯韩乐杨旭常虎东孙兵赵威刘桂明
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一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路
本发明公开了一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路，该射频开关电路包括一个由GaAs MOSFET构成的自偏置开关电路，该自偏置开关电路是射频信号通路，具有两个直流电压偏置端，每个直流电压偏置端均连接有一个静电保...
刘洪刚杨靖治常虎东刘桂明
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一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法
本发明公开了一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层用硫化铵或其他液体的表面钝化，在该钝化表面沉积介质作为阻挡层，以借助低温退火工艺将硫或其他元素扩散到单晶衬底以形成超浅结...
刘洪刚薛百清常虎东王盛凯孙兵赵威郭浩王虹韩乐刘桂明
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一种半导体器件参数提取装置及方法
本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法，涉及微电子集成电路技术领域，该半导体器件参数提取方法包括：用于编写电路网表的电路描述步骤；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤；用于从测试计划中提取寄生单元参数和...
刘洪刚刘桂明常虎东周佳辉
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一种高迁移率III-V族半导体MOS场效应晶体管
本发明公开了一种高迁移率III-V族金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一单晶衬底，在单晶衬底上形成的缓冲层，在缓冲层中形成的平面掺杂层，在缓冲层上形成的高迁移率沟道层，在高迁移率沟道层上形成的掺杂界面控制层，在掺杂界面控...
刘洪刚常虎东薛百清王虹刘桂明
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一种半导体器件参数提取装置及方法
本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法，涉及微电子集成电路技术领域，该半导体器件参数提取方法包括：用于编写电路网表的电路描述步骤；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤；用于从测试计划中提取寄生单元参数和...
刘洪刚刘桂明常虎东周佳辉
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一种III‑V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法
本发明公开了一种III‑V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法，属于微电子集成电路技术领域。该方法是通过焊盘和金属互联线去嵌，利用晶体管直流转移特性和冷态S参数确定提取晶体管寄生电阻时的合适偏置条件，然后在该偏置条...
刘洪刚刘桂明常虎东
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GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法
本发明公开了一种GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法，该GaAs基垂直结构MOS器件包括：一N型GaAs衬底层；在该N型GaAs衬底层上形成的N型低掺杂GaAs层；在该N型低掺杂GaAs层上形成的N型低掺杂InGaP...
刘洪刚常虎东刘桂明
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