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刘运宇

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院理化技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 4篇阵列
  • 4篇金属
  • 4篇金属催化剂
  • 4篇锗
  • 4篇催化
  • 4篇催化剂
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光化学传感...
  • 2篇阵列结构
  • 2篇弯折
  • 2篇微观结构
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇纳米银

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇刘运宇
  • 7篇师文生
  • 7篇佘广为
  • 2篇穆丽璇
  • 2篇苗荣

年份

  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种方向可以改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法
本发明属于一维纳米材料的制备与应用领域，尤其涉及一种方向可以根据需要改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法。本发明首先在单晶硅片上化学镀一层纳米银颗粒作为金属催化剂，将镀过银的单晶硅片先在密闭容器中的一定浓度的刻蚀液中刻蚀一定...
师文生刘运宇佘广为
文献传递
一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法
本发明涉及一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法。本发明的锗的微米/纳米锥阵列是基于对单晶锗片的化学刻蚀得到的，是由多个锗的微米/纳米锥构成，其中，阵列中的锗的微米/纳米锥的长度为5～40μm，尖端的直径为50～100nm...
师文生刘运宇佘广为
基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用
本发明属于微米/纳米结构的荧光化学传感器领域，特别涉及一种基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用。本发明是先对基于化学刻蚀方法得到的锗的微米/纳米锥阵列进行表面等离子体处理，使其表面活化；然后再用对pH敏感的氨基...
师文生刘运宇苗荣穆丽璇佘广为
文献传递
一种方向可以改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法
本发明属于一维纳米材料的制备与应用领域，尤其涉及一种方向可以根据需要改变的弯折硅纳米线阵列的制备方法。本发明首先在单晶硅片上化学镀一层纳米银颗粒作为金属催化剂，将镀过银的单晶硅片先在密闭容器中的一定浓度的刻蚀液中刻蚀一定...
师文生刘运宇佘广为
基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用
本发明属于微米/纳米结构的荧光化学传感器领域，特别涉及一种基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用。本发明是先对基于化学刻蚀方法得到的锗的微米/纳米锥阵列进行表面等离子体处理，使其表面活化；然后再用对pH敏感的氨基...
师文生刘运宇苗荣穆丽璇佘广为
银纳米线掺杂的染料敏化太阳能电池工作电极及制备方法
本发明涉及染料敏化太阳能电池领域，尤其涉及一种银纳米线掺杂的染料敏化太阳能电池工作电极及其制法。本发明首先在银纳米线表面包裹一层致密的纳米氧化物薄膜，然后将包裹有氧化物薄膜的银纳米线掺杂到含有氧化物纳米晶颗粒的水浆料中，...
师文生刘运宇佘广为
文献传递
一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法
本发明涉及一种锗的微米/纳米锥阵列及其制备方法。本发明的锗的微米/纳米锥阵列是基于对单晶锗片的化学刻蚀得到的，是由多个锗的微米/纳米锥构成，其中，阵列中的锗的微米/纳米锥的长度为5～40μm，尖端的直径为50～100nm...
佘广为刘运宇师文生
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