卢玉村
- 作品数：38 被引量：47H指数：4
- 供职机构：四川大学电子信息学院光电科学技术系更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程理学更多>>
- 中红外全介质高反射膜
- 1991年
- 用在红外激光技术中的反射镜,一般用金属膜即能满足要求。但金属膜的吸收较大,质软,容易划伤。而全介质反射具有高的反射率和低的吸收率,还有选择反射的性质。硒化锌(ZnSe)材料具有较宽阔的透明区(0.5～22μ)。用它制作光学元件,安装在光学系统中,用肉眼就能进行观察,使光学系统的安装调校工作十分容易,因此,
- 卢玉村李宾中
- 关键词：高反射膜硒化锌中红外ZNSE红外激光
- 1．3μm超辐射发光二极管制作和实验被引量：1
- 1995年
- 通过在激光二极管端面镀高减反膜，实现了辐射发光，制成了超辐射发光二极管。它在较宽的驱动电流范围（３３～６８ｍＡ）内均呈现超辐射发光特性。对超辐射发光二极管特性进行了研究，实验表明，它的发射谱很宽，在输出功率达１ｍＷ情况下，谱线宽度仍达１５ｎｍ。
- 李宾中陈建国卢玉村
- 关键词：发光二极管减反射膜光谱分析
- 半导体激光器端面剩余模式反射率测量结果的分析
- 1993年
- 本文分析了单色仪出射狭缝宽度对半导体激光器镀膜端面反射率测量的影响,理论预言了调制度和反射率的测量值以及测量谱中波峰和波谷的位置随缝宽周期性变化的规律。实验结果证实了理论预测的正确性。
- 武岚罗斌陈建国卢玉村
- 关键词：半导体激光器反射率调制度测量
- 优化反射率以增强半导体激光器输出功率被引量：4
- 1995年
- 在考虑了俄歇效应的情况下，用行波速率方程组研究了半导体激光器的输出功率与端面反射率的关系。给出了在不同偏置电流下使激光器输出端输出功率最大所需要的端面反射率。利用主动监控法在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器端面上完成了这种功率增强膜的镀制，在所选择的６０ｍＡ工作电流处，镀膜后激光器的输出功率增加了１３０％。
- 郝尧卢玉村陈建国
- 关键词：激光器半导体激光器镀膜工艺
- 半导体光放大器增益曲线的测量
- 1991年
- 在半导体激光器端面镀减反射膜以后,我们测量了在高于镀前阈值条件下工作时二极管的增益谱。实验结果与理论相符。
- 罗斌武岚李大义卢玉村陈建国
- 关键词：半导体激光放大器增益
- 全文增补中
- 镀膜法获得的超辐射发光二极管的特性分析被引量：3
- 1997年
- 在考虑了反射率与波长有关这一基本事实后，用图示方法对由镀膜法获得的超辐射发光二极管（ＳＬＤ）的特性进行了分析。结果表明：在判定减反射膜镀得好与不好的时候，最低反射处波长控制的准确性与最低反射率本身的大小都很重要；同时，也可以看到单面镀膜的ＳＬＤ振荡波长与增益峰值波长不重合的现象。
- 陈建国周小红李大义卢玉村
- 关键词：发光二极管减反射膜反射率SLD
- 端面反射率对半导体激光器单模工作性能的影响被引量：1
- 1995年
- 本文利用半导体激光器多模速率方程组的隐式解析解￣［１］，从理论上研究了端面反射率对半导体激光器单模工作性能的影响。结果表明，在相同的输出功率下（ｍＷ量级），端面反射率越低，单模工作性能越差，与Ｅｔｔｅｎｂｅｒｇ等人￣［２］通过实验研究所得的结论相同。
- 吴正茂夏光琼陈建国卢玉村
- 关键词：半导体激光器端面反射率
- 射线法研究外腔半导体激光器的调谐范围被引量：6
- 1996年
- 利用由射线法导出的广义两段式半导体激光器的输出光谱的表达式，讨论了外腔式半导体激光器（ＥＣＬＤ）的调谐范围。当ＥＣＬＤ调谐到半导体激光二极管的共振波长附近振荡时，可以得到ＥＣＬＤ的最大调谐范围；当激光器调谐到半导体激光二极管的反共振波长附近振荡时，可以获得ＥＣＬＤ的准连续调谐范围；同时，还求得了实现准连续调谐所需的面向外腔的半导体二极管端面的反射率。
- 周小红陈建国卢玉村
- 关键词：半导体激光器调谐反射率
- 双层减反射膜镀制半导体光放大器被引量：2
- 1998年
- 首次采用ZnSe和MgF2双层减反射膜镀制半导体光放大器，分别测出了两端面的剩余反射比曲线。结果表明，该放大器两端面反射比乘积最小值低于1×10－6，按照O’Mahoney给出的判据，其可用行波单程增益为22dB。
- 罗斌吕鸿昌卢玉村陈建国
- 关键词：半导体光放大器
- 光栅调谐外腔半导体激光器特性被引量：2
- 1994年
- 用一端面镀制高效减反射膜的激光二极管（实际已变成超辐射发光二极管），作为外腔中的增益介质与衍射光栅一道构造了光栅调谐外腔半导体激光器，并对其特性进行了分析和实验研究。实现了外腔半导体激光器的宽带调谐单模输出，调谐范围宽达４０ｎｍ。测定了阈值电流和调谐波长的关系。
- 李宾中陈建国卢玉村
- 关键词：外腔半导体激光器调谐光栅
