叶育红
- 作品数：9 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 金层和银层铟基焊料钎焊界面组织性能研究被引量：3
- 2017年
- 对In40Pb60的铟基近共晶钎料钎焊金属基板钎焊界面(即Cu/Ni/Au/InPb/Ag/Ni/Al结构)进行研究。分析钎焊界面焊点处显微结构及各层成分及厚度,对钎焊焊点进行高温老化,利用SEM对焊点钎料成分与界面形成的金属间化合物进行检测,并进行剪切力学性能测试。结果表明,短时间的老化后焊点AuIn_2和AgIn_2金属间化合物的生成使得焊点力学性能有一定提高,但IMC层不宜过厚,厚度过大焊点的剪切性能会随老化的推进略有下降,应该控制脆性物质的生成使得焊点力学性能达到最高。
- 杨东升张悦田艳红叶育红
- 关键词：金属间化合物剪切性能
- BST薄膜对GaN衬底的传输特性影响
- 2012年
- 钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜,应用广泛,是高新技术研究的前沿和热点之一。文章重点讨论了不同结构的BST薄膜对GaN传输线的传输特性影响,分析了不同的BST薄膜材料参数对传输性能的影响。实验证明,未电镀的传输线空洞较多,直流电阻变大,生长了BST薄膜的传输线插损约为0.32dB/mm,不同的薄膜材料参数对传输特性的影响也很明显,随着介电常数、膜厚以及损耗角的增大,传输线有效介电常数变大,特性阻抗减小。为基于磁电效应的GaN功率放大器设计提供了一定的借鉴。
- 叶育红周骏沈亚李辉
- 关键词：钛酸锶钡氮化镓传输特性
- 一种用于硅基环隔器批量装配的方法
- 一种用于硅基环隔器批量装配的方法。根据硅基环隔器外形设计与之相匹配的工装；然后将铁氧体放入硅芯片中，将带有铁氧体的硅芯片放在预置焊料片的可伐载体上；将硅基环隔器放入阵列工装中并紧固工装螺钉相当于对硅基环隔器施加水平方向的...
- 田飞飞叶育红徐建华韩群飞陶洪琪
- 晶圆级异构集成3D芯片互连技术研究被引量：2
- 2023年
- 南京电子器件研究所基于芯片微凸点制备工艺和倒装互连工艺,进行了GaAs,GaN等晶圆级异构集成3D芯片互连工艺的研究,实现了芯片与芯片堆叠(Die to die,D2D)到芯片与圆片堆叠(Die to wafer,D2W)的技术性突破。芯粒间采用耐腐蚀、抗氧化、有良好塑性变形的金凸点作为互连材料。
- 田飞飞凌显宝张君直叶育红蔡传涛赵磊陶洪琪
- 关键词：金凸点异构集成互连技术3D芯片
- 多通道小型化三维封装T/R组件被引量：1
- 2011年
- 南京电子器件研究所最近研制出一款用于有源相控阵雷达用的多通道T／R组件，该组件采用三维封装技术，利用LTCC多层基板可实现微波电路的三维信号传输的特点，采用LTCC基板封装一体化设计方法，提高组件的集成度，减小组件的体积和重量，简化封装设计的难度，具有体积小、集成度高、性能优异等特点。
- 沈亚周骏沈亮叶育红李朝阳孙春妹张维
- 关键词：T/R组件三维封装多通道小型化LTCC基板有源相控阵雷达
- C-X波段HBT宽带功率放大器的研制
- 本文介绍了C-X波段GaAs HBT宽带功率放大器的设计、制作,给出了电路拓扑。该放大器电路在7-11GHz频率范围内,小信号增益＞7.5dB,输出功率大于1W。采用Φ76mm GaAs工艺制作,工艺成品率高。
- 钱峰叶育红孙毅陈效建
- 文献传递
- 一种用于硅基环隔器批量装配的方法
- 一种用于硅基环隔器批量装配的方法。根据硅基环隔器外形设计与之相匹配的工装；然后将铁氧体放入硅芯片中，将带有铁氧体的硅芯片放在预置焊料片的可伐载体上；将硅基环隔器放入阵列工装中并紧固工装螺钉相当于对硅基环隔器施加水平方向的...
- 田飞飞叶育红徐建华韩群飞陶洪琪
- C-X波段HBT宽带功率放大器的研制
- 本文介绍了C-X波段GaAsHBT宽带功率放大器的设计、制作,给出了电路拓扑.该放大器电路在7-11GHz频率范围内,小信号增益＞7.5dB,输出功率大于1W.采用Φ76mmGaAs工艺制作,工艺成品率高.
- 钱峰叶育红孙毅陈效建
- 关键词：功率放大器电路设计
- 文献传递
- Ku波段功率放大器的研制
- Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择.
- 钱峰蒋幼泉叶育红徐波
- 关键词：功率放大器电路拓扑
- 文献传递
