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周锁京

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇低压化学气相...
  • 1篇电路
  • 1篇电路研究
  • 1篇淀积
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇亚微米
  • 1篇氧化硅
  • 1篇射频
  • 1篇剖面
  • 1篇剖面研究
  • 1篇气相淀积
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准硅化物
  • 1篇微米
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米CMOS...
  • 1篇晶体管
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相淀积

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇周锁京
  • 3篇韩郑生
  • 3篇李俊峰
  • 3篇徐秋霞
  • 2篇侯瑞兵
  • 2篇赵玉印
  • 2篇柴淑敏
  • 2篇孙宝刚
  • 2篇海潮和
  • 2篇陈焕章
  • 1篇刘忠立
  • 1篇孙海峰
  • 1篇于雄飞
  • 1篇叶甜春
  • 1篇杨荣
  • 1篇高文方
  • 1篇丁明正
  • 1篇夏洋
  • 1篇邢孝平
  • 1篇于萍

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1989
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
VLSI中双层多晶硅结构的剖面研究
1989年
本文对VLSI中双层多晶硅结构的剖面及用于结构成形的干法腐蚀技术进行了研究,获得了优化的剖面结构.研究分析表明,多晶硅Ⅰ的侧墙越倾斜,则双层多晶硅结构越佳.改变刻蚀条件可以有效地调节横向对纵向的刻蚀速率比δ,满意地获得多晶硅Ⅰ侧墙倾角α为49°左右;多晶硅Ⅱ采用二步刻蚀工艺.结果既消除了3μm工艺中用各向异性的RIE刻蚀易出现的多晶硅Ⅱ沿多晶硅Ⅰ侧墙的残留造成的相邻字线短路现象,又保证了线宽的精确控制,对下层SiO_2只有轻微的侵蚀.为VLSI制造提供了适用的工艺结构设计和加工技术,成功地研制出了64K DRAM合格样品.
徐秋霞冯淑敏周锁京
关键词：VLSI多晶硅剖面干法腐蚀
用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法
一种用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法，包括如下步骤：在硅片上，多晶栅刻蚀成形后进行无掩膜的漂移区注入；用正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层二氧化硅；以光刻胶保护漂移区，回刻二氧化硅，在栅极靠近源测形成二氧化硅侧墙...
杨荣李俊峰海潮和徐秋霞韩郑生柴淑敏赵玉印周锁京钱鹤
文献传递
高性能栅长27纳米CMOS器件和栅长36纳米CMOS电路
徐秋霞叶甜春韩郑生陈宝钦陈焕章李俊峰侯瑞兵孙宝刚夏洋赵玉印高文芳周锁京丁明正杨雪莹
该器件具有强化氮化氧化栅介质EOT 1.4 nm(Gate Oxide)；横向局域限定的超陡倒掺杂沟道剖面(SSRCD)；31nm超浅高表面浓度S/D延伸区(N/P-ext)；Offset S/D Extension结构...
关键词：
关键词：EOT
亚微米CMOS/SIMOX器件与电路研究
海潮和韩郑生刘新宇陈焕章户焕章周小茵刘忠立李俊峰于雄飞孙海峰柴淑敏郝秋华邢孝平侯瑞兵高文方孙宝刚周锁京赵立新于萍
主要研究了部分耗尽型亚微米CMOS/SOI器件特性；浮体SOI器件和体源短接时两种结构性能对比，（包括直流特性和高频特性）以及薄膜全耗尽器件的栅电极工程等。研制成功性能优良的部分耗尽及薄膜全耗尽CMOS器件。并形成了一整...
关键词：
关键词：CMOSSOISRAM
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