安静
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：上海交通大学理学院太阳能研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
- 背腐蚀在晶体硅太阳能电池生产中的应用
- 背腐蚀可以用来取代常规的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的PN结分开.本文中背腐蚀使用了HF/HNO3体系,正面没有使用掩膜.用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效...
- 苦史伟孙铁囤刘志刚汪建强安静叶庆好
- 关键词：背反射硅太阳能电池晶体硅等离子刻蚀
- 文献传递
- 一种添加剂在HF/HNO3/H2O系统中对硅片刻蚀的影响
- HF/HNO3/H2O刻蚀体系广泛应用于微电子加工和硅太阳能电池绒面加工工艺中.也是近几年来学者研究的重点.系统中影响硅片刻蚀速度的因素有很多,如溶液的组成,硅片表面的结构,溶液温度以及是否搅拌等,其中溶液的组成是影响硅...
- 汪建强安静刘志刚孙铁囤
- 关键词：氨水微电子加工硅太阳能电池
- 文献传递
- 影响硅片在酸液中腐蚀速度的因素
- 氢氟酸(HF)/硝酸(HNO3)/水(H2O)体系对硅片的腐蚀非常复杂,腐蚀机理与酸液的配比有关.影响酸液腐蚀硅片的因素有酸液比例、溶液温度、稀释剂与助剂的添加、硅片表面状况、是否加搅拌等.通过改变反应液比例,控制反应液...
- 刘志刚孙铁囤安静汪建强苦史伟徐秀琴崔容强
- 文献传递
- 背腐蚀在晶体硅太阳电池生产中的应用被引量：3
- 2006年
- 背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF-HNO3体系,没有表面保护。用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效应IQE。用背腐蚀代替等离子刻蚀后晶体硅太阳电池的ISC、VOC和电池效率都得到了提高。
- 苦史伟孙铁囤刘志刚汪建强安静叶庆好
- 关键词：SEM背反射
- 氨水在HF/HNO_3/H_2O系统中对硅片刻蚀的影响被引量：1
- 2008年
- 研究了晶体硅太阳电池酸绒面制备中,NH3.H2O在HF/HNO3/H2O体系中对硅片刻蚀速度的影响.实验结果表明,当NH3.H2O加入量较少时,硅片刻蚀速度随NH3.H2O含量增加而变大;NH3.H2O含量大于某值时,硅片刻蚀速度随NH3.H2O含量增加而减小.最后,用气泡搅拌理论以及扩散层理论对实验中的现象进行了理论分析,其结果对多晶硅太阳能电池酸绒面制备有一定指导意义.
- 汪建强刘志刚安静孙铁囤
- 关键词：氨水搅拌
- HF/HNO3/H2O体系中硅片的腐蚀过程
- HF/HNO3/H2O体系在多晶硅太阳能电池制备中占有重要的地位.以前对于硅片在HF/HNO3/H2O体系中的反应已经做了大量的研究.本文测量了富硝酸体系中不同的时刻的腐蚀速度,腐蚀溶液的温度和溶液中的氟离子浓度,从而对...
- 安静孙铁囤刘志刚汪建强苦史伟
- 关键词：多晶硅太阳能电池
- 文献传递
- 硅片在HF/HNO_3/H_2O体系中的腐蚀速度被引量：4
- 2008年
- 研究了硅片在富硝酸的HF/HNO_3/H_2O体系中的腐蚀规律。随着腐蚀反应的进行,反应分5个阶段,在开始的5min内硅片腐蚀量较大,然后反应速度经历了下降、上升、下降再迅速下降的过程,最终达到稳定阶段。另外,随着反应时间的延长,反应温度先上升到达最大值,然后逐渐下降,溶液中氟离子浓度不断减小,反应速度随时间的变化规律是腐蚀生成热、体系与外界热交换以及溶液中氟离子浓度共同作用的结果。
- 安静孙铁囤刘志刚汪建强苦史伟
- 关键词：温度
