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张伯蕊: 作品数：43 被引量：101H指数：7; 供职机构：北京大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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半绝缘砷化镓的热反型研究: 1989年; 高压液封直拉法生长的未掺杂半绝缘GaAs和水平法生长的掺Cr的半绝缘GaAs二种样晶在有As气氛和没有As气氛保护下分别在真空封管中在740℃退火4小时后,电学测量发现有As气氛保护的GaAs表面未出现热反型,而没有As气氛保护的GaAs表面出现热反型层。光致发光谱测量发现在热反型的样品中并没有出现与Mn_(Ga)相连系的1.41eV发射峰,而是与C_(As)相连系的1.490eV发射峰强度在退火后大大增强。一系列实验表明在真空退火后SI-GaAs表面低阻反型层的产生可能是由于在热退火过程中表面产生的大量V_(As)向内扩散,使表面层中的Ci填充V_(As)形成C_(As),从而使表面层的C_(As)受主浓度增加,导致形成低阻反型层。; 张丽珠张伯蕊尹庆民; 关键词：砷化镓

高多孔度多孔硅自支撑膜的制备及表征被引量：2: 1998年; We have obtained free-standing porous silicon filrns with porosity above 90% by us-ing allodic oxidizing, electropolishing, chemical etching and supercritical drying methods. Thesehighly porous films exhibited near 100% transmission in the near infrared and strong photoluminescence (PL). The porosity of these films increased with prolonging the time of chen1ical etching.Meanwllile, the blueshift of the optical transmission curves and the increasing of the PL intensitywas ohserved. However, there is no clear size dependence of the peak ellergy of the PL.; 徐东升郭国霖桂琳琳张伯蕊秦国刚; 关键词：多孔硅光致发光

光照下经H_2O_2处理的多孔硅的光致发光被引量：2: 1994年; 光照下经H_2O_2处理的多孔硅其荧光强度随处理时间增加先增强后减弱,处理1min后,荧光强度达极大。未经H_2O_2处理的多孔硅在空气中激光照射下,其荧光退化很快,经H_2O_2处理的多孔硅在同样条件下,荧光退化明显变慢。红外吸收实验表明,H_2O_2处理后多孔硅与氧有关的振动大幅度增强,而各种si—H键则明显减少。对比红外吸收与荧光强度的变化,得出以下结论,多孔硅的可见光发射不是来自其表面的si—H键。; 林军张丽珠张伯蕊宗柏青秦国刚许振华; 关键词：多孔硅光致发光过氧化氢荧光

固体C<,70>薄膜相变: 固体C<,70>(或C<,60>)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP...; 陈开茅冉广照陈源付济时张伯蕊朱美栋乔永平武兰青; 关键词：相变异质结; 文献传递

大气中Pd-H(D)系中H(D)的释放及其表面附近H的分布被引量：1: 1991年; 将经过950℃热处理后缓慢冷却及淬火处理的Pd样品,分别作为阴极在重水(D_2O)和轻水(H_2O)中进行150h电解,以引入H和D。用X射线衍射方法测量Pd-H(D)系存放于大气中经过不同时间后的衍射图及β相晶格常数的变化,并用~1H(^(19)F,ar)^(16)O核反应测量H在各Pd-H(D)系表面层中的分布。淬火Pd与退火Pd相对比,在电解吸H(D)后,前者初始含H(D)百分比较高而H(D)的释放速度较快。H的浓度在Pd-H合金的表面处达到极大值而在离表面深度为数百埃处达到极小值。; 秦国刚彭清智傅济时张丽珠张伯蕊; 关键词：金属晶格

发可见光多孔硅的电子顺磁共振研究被引量：1: 1993年; 本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧化制成多孔硅薄膜,其光致发光峰在可见光范围,其EPR信号(标记为PK6)来自三角轴对称的自旋中心,对称轴方向是衬底晶格的〈111〉晶向。该结果说明多孔硅中保留着单晶硅成份。分析PK6的对称性及其g张量主值发现它很可能是硅悬键。多孔硅粉末的EPR信号表现为PK6信号的无规取向平均谱。; 贾勇强傅济时毛晋昌吴恩张伯蕊张丽珠秦国刚; 关键词：多孔硅顺磁共振发光

热退火对CdTe光致发光谱的影响: 验测量了CdTe在不同热退火条件处理后的低温光致发光谱，所用样品是未掺杂的P型CdTe单晶。实验结果：在CdTe单晶中，观察到了位于1．532、1．542、1．46、、1．41ev的发光峰。CdTe单晶的总的积分发光强度...; 张丽珠林昭炯张伯蕊; 关键词：光致发光半导体晶体退火碲化镉

多孔硅蓝光发射与发光机制被引量：16: 1996年; 在制备出光致发光能量为２．７ｅＶ的发射蓝光多孔硅的基础上对它进行了较系统的研究：测量了它的光致发光时间分辨光谱，用傅里叶交换红外光谱分析了其表面吸附原子的局域振动模，研究了Ｙ射线辐照对其发光的影响，并与发红、黄光的多孔硅作了对比，通过空气中长期存放、激光和紫外线照射的方法，研究了光致发光峰能量为２．７ｅＶ的多孔硅发光稳定性．我们及其它文献中报道的多孔硅蓝光发射的实验结果与量子限制模型矛盾，但能用量子限制／发光中心模型解释．我们认为多孔硅的２．７ｅＶ发光是多孔硅中包裹纳米硅的ＳｉＯ＿ｘ层中某种特征发光中心引起的．; 林军张丽珠陈志坚宋海智姚德成段家忯傅济时张伯蕊秦国刚; 关键词：多孔硅蓝光发射发光机制

一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极A、B、C，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，加热电极C接地，分别与加热电...; 戴伦张伯蕊刘仕峰秦国刚; 文献传递

氧化多孔硅和含纳米硅中锗的氧化硅发光: 秦国刚马振昌张伯蕊付济时秦国毅乔永平段家宗婉华尤力平毛晋昌姚光庆张丽珠; 该项目为研制出波长为340毫米的强紫外光多孔硅，是已报导的发光波长最短的多孔硅。项目提出光激发生在纳米硅中，而光发射发生在纳米硅外氧化硅层中或纳米硅/氧化硅界面处的发光中心（杂质和缺陷）上；不同发光带来自不同的发光中心，...; 关键词：; 关键词：多孔硅氧化硅纳米硅