张帷
- 作品数：11 被引量：15H指数：2
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- Si衬底GaN基材料及器件的研究被引量：3
- 2006年
- GaN具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域。Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值。介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的进展情况。
- 滕晓云刘彩池郝秋艳赵丽伟张帷
- 关键词：GANSI衬底
- 金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。
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- 关键词：GAN湿法化学腐蚀
- 蓝宝石上横向外延GaN薄膜
- 2007年
- 在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测.
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- 关键词：GAN金属有机物气相外延
- 蓝宝石衬底MOCVD横向外延过生长GaN薄膜的研究
- 本文在经过预处理的蓝宝石衬底上，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）无掩模横向外延生长GaN 薄膜。并与同样生长条件下，在未经腐蚀预处理的蓝宝石衬底上外延的GaN 薄膜进行对比测试。采用X 射线双晶衍射技术、原子力显微...
- 张帷
- 关键词：GAN薄膜氮化镓薄膜MOCVD蓝宝石衬底
- 文献传递
- 改进缓冲层结构MOCVD无掩模横向外延制备CaN薄膜的研究
- 本文针对改进缓冲层生长条件，在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延（MOCVD）方法对无掩模横向外延（ELO）GaN 薄膜进行了研究。实验中在蓝宝石衬底上用化学腐蚀法刻蚀出图案，再沉积低温GaN 缓冲层作为外延层的籽晶层，...
- 张帷郝秋艳陈贵峰解新建景微娜刘彩池冯玉春郭宝平卫静婷
- 关键词：金属有机物气相外延蓝宝石衬底氮化镓薄膜
- 文献传递
- 利用MOCVD无掩模横向外延法制备GaN薄膜
- 本文在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD))方法对无掩模横向外延(ELO)GaN薄膜进行了研究.实验中在蓝宝石衬底上用化学腐蚀法刻蚀出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,最终沉积高温GaN,制备出...
- 张帷刘彩池郝秋艳冯玉春
- 关键词：GAN薄膜金属有机物气相外延蓝宝石衬底位错密度
- 文献传递
- 双缓冲层对GaN外延层中缺陷的影响
- 本文报道分别在单缓冲层(高温AlN)和双缓冲层(高温AlN+低温GaN)上生长相同厚度的GaN 外延片。双晶X射线衍射(DCXRD)与透射电子显微镜(TEM)观察发现,单缓冲层上生长的样品晶体质量较差,内部含有位错、反畴...
- 赵丽伟滕晓云郝秋艳王海云张帷刘彩池
- 关键词：GAN位错TEM
- 文献传递
- 原子力显微镜在GaN研究中的应用被引量：2
- 2006年
- 本文采用原子力显微镜(AFM)对Si基外延GaN的形貌及出现的V缺陷进行研究。实验结果表明,GaN外延层厚度为0.5μm时粗糙度最低且没有裂纹出现;厚度为0.4μm的GaN表面出现小坑———V缺陷,密度约为108cm-2。
- 王其民赵丽伟滕晓云张帷刘彩池
- 关键词：原子力显微镜GAN表面形貌
- 选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展被引量：9
- 2007年
- Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点,在光电子、微电子等领域有广泛的应用。降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键,也是人们始终致力于研究的内容,本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长GaN的方法、原理、进展情况进行了介绍。
- 张帷刘彩池郝秋艳
- 关键词：氮化镓
- 缓冲层对Si基GaN外延层中缺陷的影响
- 在硅基衬底上分别采用单缓冲层（高温AlN）和双缓冲层（高温AlN＋低温GaN）上生长相同厚度的GaN 外延片，利用双晶X射线衍射（DCXRD）与透射电子显微镜（TEM）对外延层观察，结果发现单缓冲层上生长的样品晶体质量较...
- 郝秋艳解新建刘彩池赵丽伟张帷
- 关键词：氮化镓缓冲层外延层缺陷密度
- 文献传递
