徐文婷
- 作品数：6 被引量：19H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- Si、Ge、SOI中SiGe纳米晶的生长及其特性研究
- SiGe低维材料,尤其是SiGe纳米晶的生长及其物理性质的相关研究是近年来较受关注的前沿领域,为开发新一代高性能单电子器件、激光器和各种光电子器件提供了一条新的途径。SiGe纳米结构能否用于器件制作的关键在于：了解纳米结...
- 徐文婷
- 关键词：SIGE纳米晶离子注入光致发光
- 忆阻器材料的研究进展被引量：4
- 2012年
- 忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等;阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题。
- 曲翔徐文婷肖清华刘斌闫志瑞周旗钢
- 关键词：电激励
- Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长
- 2011年
- 采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质结中SiGe外延层生长的影响。结果表明,低能条件下(30keV)离子注入有利于形成SiGe外延层;通过对SiGe外延层高分辨晶格像的傅立叶分析得出,900℃下进行固相外延能够有效抑制SiGe外延层中点缺陷的生成;而且利用该技术外延生长的SiGe层完全弛豫。
- 徐文婷肖清华常青屠海令
- 关键词：异质结离子注入固相外延
- 黑硅制备技术及其应用的研究进展被引量：2
- 2010年
- 基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述。结果表明:黑硅材料的特殊结构能够极大降低硅表面光反射,有效提高硅太阳能电池转换效率;其特殊光敏性可应用于光波探测器;表面各向异性的黑硅在红外吸收中可以产生太赫兹辐射。当前飞秒激光脉冲法制备的黑硅材料体现了很好的光敏性,并且有望直接嵌入目前半导体制造工艺,因此备受青睐,然则其制备成本较高;相比之下,电化学刻蚀法则设备简单、成本较低,亦颇具研究前景。最后,展望了国内黑硅材料的发展趋势。
- 徐文婷屠海令常青肖清华
- 关键词：微结构反射率
- 热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟被引量：13
- 2012年
- 通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案。数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使用单一石墨材料,优化后采用辐射率较高的内壁材料结合反射率较高的外壁材料组成复合式热屏)的优化可以减少主加热器对晶体的热辐射使得固液界面更加平坦,藉此增加结晶速率,减小晶体内热应力和熔体中氧含量。
- 滕冉戴小林徐文婷肖清华周旗钢
- 关键词：硅单晶数值模拟热屏固液界面
- Cusp磁场中CZ硅氧浓度分布的数值模拟
- 2012年
- 利用FEAMG-CZ软件,模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明:随着0高斯面的下移,熔体中的最小氧浓度降低,而固液界面的氧浓度升高,且径向均匀性变差。分析表明,这与熔体自由表面处的Marangoni流有关,抑制该流动有利于熔体中氧的蒸发,从而在自由表面下获得更低氧浓度的熔体,但会阻碍自由表面下方低氧熔体往固液界面的输运。因此,推断当0高斯面位于熔体自由表面下某一位置时,固液界面氧浓度将达到最低。模拟中,该位置位于Hm=0～-0.01m之间。
- 王永涛库黎明徐文婷戴小林肖清华闫志瑞周旗钢
- 关键词：直拉硅氧浓度数值模拟
