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曾正清

作品数：5 被引量：12H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇发光
  • 2篇负电子亲和势
  • 2篇GAN
  • 2篇改进型
  • 1篇照明
  • 1篇照明光源
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电阴极
  • 1篇光电阴极材料
  • 1篇光阴极
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇二极管
  • 1篇发光二极管
  • 1篇高灵敏

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇曾正清
  • 5篇李朝木
  • 3篇李峰
  • 3篇王宝林
  • 1篇陈群霞
  • 1篇吴会龙

传媒

  • 5篇真空与低温

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究被引量：2
2009年
GaN基发光二极管合成照明光源的流明效率与世界公认的200lm/W的目标相比还有较大的差距。详述了材料外延、管芯制作、器件封装以及系统开发应用、照明光源的关键技术的最新进展。
曾正清李朝木吴会龙
关键词：半导体照明GAN发光二极管
改进型GaN材料的掺杂工艺研究
2009年
采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5μm厚度的P-Al_xGa_(1-x)N/GaN层(0
王宝林李朝木曾正清李峰
关键词：GAN材料光致发光退火温度
GaN负电子亲和势光电阴极的激活改进研究被引量：2
2010年
采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层（0〈X≤0.4）,在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2〈X〈0.7。P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2-5μm,并获得3×1019 cm^-3的掺杂浓度。提出的GaN基光电阴极的表面能带结构模型,对实验结果给予了比较满意的解释。
曾正清李朝木王宝林李峰
关键词：负电子亲和势
GaN负电子亲和势光电阴极材料的生长研究被引量：9
2008年
采用低压金属有机化学汽化淀积法在蓝宝石(0001)
李朝木曾正清陈群霞
关键词：负电子亲和势光电探测
改进型[Cs,Rb]Na_2KSb光阴极的制备研究被引量：1
2009年
利用改进工艺制备的[Cs,Rb]Na2KSb光阴极,具有灵敏度高、热发射低和重复性好等优点,特别是改善了光谱的绿光到红外部分的光响应。提出的[Cs,Rb]Na2KSb光阴极的表面能带结构模型,对实验结果给予了比较满意的解释。
王宝林李朝木曾正清李峰
关键词：高灵敏度
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