朱德彰
- 作品数：85 被引量：174H指数：7
- 供职机构：中国科学院上海应用物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信核科学技术更多>>
- 铂和硫双离子注入YSZ单晶的损伤及其热退火行为
- 1997年
- 谢东珠朱德彰
- 关键词：离子注入铂离子硫离子热退火
- 用RBS和RNR研究表面涂覆CeO_2对Fe-25Cr合金高温氧化的影响被引量：1
- 1991年
- 一、引言许多研究结果表明,将微量 Ce、Y、Hf 和 Th 或其氧化物添加于形成 Cr_2O_3保护层的 Fe～Cr 系合金中可以大大提高抗氧化性能。一些结果还表明,把这些活性元素的氧化物用涂覆方法或溅射方法作用合金表面,合金的抗氧化性能也同样可以得到改善。尽管已有许多模型试图解释这种活性元素的作用,但迄今为止,还没有一个为人们所普遍接受。
- 俞方华潘浩昌沈嘉年杨国华李铁藩朱德彰陈寿面曹建清曹德新
- 关键词：高温氧化CEO2
- 硅基材料芯片的组合离子束合成及分析
- 1999年
- 用组合技术和离子束技术相结合的方法进行了硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元－材料芯片，并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）、质子弹性散射（ＰＥＳ）和扫描阴极射线发光（ＣＬ）特性分析。组合离子束技术的应用将大大提高材料研究的效率。
- 陈昌明潘浩昌朱德彰胡钧李民乾
- 关键词：材料芯片硅基发光材料
- 低压促进的金刚石薄膜的低温生长
- 2009年
- 本文研究了气压对热丝化学气相沉积金刚石薄膜沉积温度的影响。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,同常规热丝化学气相沉积的气压(5.32kPa)相比,采用较低的气压(0.67kPa)、在500℃的低温下可获得常规气压下不大容易获得的、小颗粒的金刚石薄膜。Raman结果进一步证实了这种薄膜具有同5.32kPa、700℃条件下沉积的薄膜的可比拟的质量。低温低压下高质量的金刚石薄膜的获得同气压在决定衬底表面的碳氢分子活性基团浓度的两种相反的作用密切相关。同相同温度其它气压条件相比,在500℃的衬底温度、0.67kPa气压下到达衬底表面的碳氢分子活性基团具有较高的浓度,从而导致了常规气压下不大可能获得的高质量,小颗粒金刚石薄膜的低温沉积。
- 杨树敏谢巧玲周兴泰朱德彰巩金龙
- 关键词：金刚石薄膜热丝化学气相沉积
- 低能粒子与X射线在碳纳米管(绳)内传输研究的现状
- 2008年
- 高能粒子(沟道)传输时,粒子质量与入射能量有关。低能粒子(沟道)传输时,粒子(静止)质量与入射能量无关。与其说高低能量区别,不如说质量观念区别;因此两者研究是不同观念的研究。沟道连续势阱的柱状对称性与碳纳米管结构的变化无关。X射线(沟道)传输表现为两方面:在波动性方面,它遵守光学散射规律;在粒子性方面,它被沟道连续势阱束缚。
- 郑里平李勇朱志远夏汇浩朱德彰
- 关键词：毛细管沟道
- 氧化钛薄膜的血液相容性研究被引量：9
- 1997年
- 本文研究了离子束增强沉积技术制备的氧化钛薄膜的血液相容性与薄膜的结构、成分、表面能，以及蛋白质在薄膜表面的吸附之间的关系。实验表明，血液相容性是表面能和功函数共同作用的结果。表面能决定蛋白质的吸附量，功函数决定蛋白质的变性。
- 张峰黄楠郑志宏杨萍曾小兰杨萍刘芳艳毛应俊周美英朱德彰刘芳艳王中尧陈安清
- 关键词：人工心脏氧化钛血液相容性
- 在扫描探针显微镜及其针尖上沉积薄膜的方法
- 张志滨胡钧徐洪杰朱德彰李民乾
- 一种利用荷能团簇在扫描探针显微镜悬臂及其针尖上沉积薄膜的方法，其特征在于该方法是在荷能团簇沉积装置上进行的包括下列步聚：溅射室的靶架放置溅射靶材；在沉积室的靶架上粘贴扫描探针显微镜（AFM）的悬臂，并确保针尖向外；使靶架...
- 关键词：
- 关键词：扫描探针显微镜针尖
- 高度定向的碳纳米管阵列的制备被引量：2
- 2004年
- 使用99.99%的铝片,在草酸溶液中,通过基于自组织基础上的二次氧化法制备了孔高度有序、六角排列的氧化铝模板,在微米尺寸区域内获得了高度平行的氧化铝纳米孔阵列。利用化学气相沉积技术(CVD),在没有任何过渡金属催化剂的情况下,利用多孔氧化铝模板本身的催化作用,在氧化铝模板孔内成功制备了高度有序的平行碳纳米管阵列。这种碳纳米管阵列可以作为研究离子束沟道传输特性的较理想材料。利用扫描电子显微镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)等测试手段对铝片、氧化铝模板和碳纳米管的结构进行了表征。讨论了氧化铝模板的形成机制和基于氧化铝模板生长高度定向碳纳米管的条件。
- 王红波王森俞国军李玉兰何绥霞巩金龙陆荣荣朱德彰朱志远
- 关键词：阳极氧化阵列碳纳米管
- 高剂量铂和钇离子注入Al_2O_3单晶的表面改性
- 1999年
- 研究了＜0001＞和＜1210＞晶向α－Al2O3单晶在高剂量的Y、Pt离子注入后产生的损伤，注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，在室温，171keV、1×1017／cm2Y离子注入的＜1210＞α－Al2O3单晶的表面层约有139nm厚被无定形化。而158keV、9×1017／cm2Pt离子注入的＜0001＞α-Al2O3单晶的表面层不产生无定形，且实际离子注入进衬底的剂量只有2．65×1016／cm2，绝大部分在注入过程中被溅射掉。注入后其表面层的硬度提高了大约50％。表面层的电阻率降低了12个数量级。在空气中退火后形成了随机取向的纳米量级大小的Pt微晶，表面层的硬度也有所降低，但仍稍高于未注入的单晶硬度。
- 谢东珠朱德彰潘浩昌曹德新徐洪杰
- 关键词：离子注入表面改性铂钇
- 电场诱导碳纳米管阵列准直生长的研究被引量：4
- 2003年
- 在传统的热化学气相沉积(CVD)的基础上,引入针尖电场,开展了电场对碳纳米管阵列准直性改善的研究。利用扫描电子显微镜(SEM)和Raman光谱两种表征手段,研究了加电场与不加电场两种情况下得到的碳纳米管(CNT)阵列的准直性,证明了电场对碳纳米管阵列准直生长的有效性。文章还对电场诱导碳纳米管阵列准直生长的机理进行了初步的探讨,认为电场使碳纳米管极化是CNT阵列准直生长的主要原因。
- 曹继陆荣荣李玉兰曹建清朱德彰巩金龙朱志远
- 关键词：碳纳米管阵列电场极化扫描电子显微镜拉曼光谱
