李薇薇
- 作品数：54 被引量：98H指数：6
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金天津市重大科技攻关项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学一般工业技术更多>>
- 集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法
- 刘玉岭刘纳张楷亮李薇薇
- 一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法，属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗，工艺复杂，效率低，成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5...
- 关键词：
- 关键词：集成电路抛光片控制方法
- 硅研磨片清洗技术的研究
- 本文介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响研磨质量的主要因素,即重金属杂质和磨盘印.重点阐述了硅研磨片表面沾污的原理,并且通过大量的实验分析得到清洗液的最佳配比以及清洗的最佳时间和温度.
- 李薇薇武睿刘玉岭刑哲
- 关键词：硅清洗技术
- 文献传递
- 以成果为导向的信号处理软件课程教学改革浅析
- 2021年
- 从本校信息工程学院专业课教学特点出发,以成果为导向,针对课堂教学和实验教学内容进行改革实践。讨论了在授课时引入"案例教学法",把MATLAB的相关知识点和实际相关问题结合,使学生在学习软件语言的同时,掌握如何用软件解决实际问题,培养学生创新思维和自主学习意识,提高综合实践能力。
- 姜霞卢嘉李薇薇
- 关键词：MATLAB案例教学实验教学
- 新型兆声清洗去除集成电路衬底硅片表面污染物的分析研究被引量：2
- 2006年
- 集成电路衬底硅片表面存在污染物会严重影响器件可靠性,非离子表面活性剂能有效控制颗粒在硅单晶片表面的吸附状态,使之保持易清洗的物理吸附。在清洗液中加入特选的非离子表面活性剂,大大提高了兆声清洗去除颗粒的效率和效果。实验表明当活性剂在清洗液的配比为1%,颗粒去除率可达95%以上。
- 李薇薇周建伟刘玉岭王娟
- 关键词：兆声清洗非离子表面活性剂
- ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究被引量：1
- 2006年
- 针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。
- 尹睿刘玉岭李薇薇张建新
- 关键词：化学机械抛光低K介质抛光液
- CMP专用纳米磨料生长粒径控制技术研究
- 刘玉岭王娟檀柏梅李薇薇张西慧周建伟张建新高金雍王胜利黄妍妍牛新环
- 该课题组粒径可控为微电子CMP多种用途提供了高质无污染、高纯、高浓度SiO_2纳米磨料，建立了硅溶胶生长机理，采用控制粒子数多级分次生长等液面法，制备出所需粒径范围内的产品，实现粒径可控生长；运用阳－阴－阳三步离子树脂交...
- 关键词：
- 关键词：硅溶胶粒径控制
- 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
- 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽化学机械全局平面化抛光液的组成成分重量%是SiO<Sub>2</Sub>、CeO<Sub>2</Sub>、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、ZrO、MgO的水溶胶1...
- 刘玉岭张楷亮李薇薇
- 文献传递
- ULSI中CMP纳米磨料制备技术的研究
- 本文介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果：15～20 nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液、用于介质CMP的120nm水溶胶磨料抛光液、内连线钨和铝插塞的CMP纳米SiO2磨料碱性抛光液及ULSI硅衬底CM...
- 刘玉岭檀柏梅李薇薇
- 关键词：超大规模集成电路碱性抛光液水溶胶
- 文献传递
- 微电子专用硅溶胶的纯化机理探究被引量：2
- 2005年
- 首先对微电子工艺中引入杂质的危害进行了阐述,找出现有硅溶胶距实际应用的不足,发掘其纯化工艺,为微电子工艺领域中广泛应用硅溶胶提供前提条件。实验主要是对几种纯化工艺进行对比,由此从中得出,采用阳-阴-阳离子交换的方法最为适宜。然后对实验室制备的或在工业中已有应用的硅溶胶进行纯化,使其纯度达到10-6级,并探讨了其纯化机理。
- 王娟刘玉岭李薇薇檀柏梅
- 关键词：硅溶胶微电子
- CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制被引量：3
- 2005年
- 化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重。随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合。文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面的吸附状态,对已经吸附的颗粒可以起到解吸的作用。实验证明用表面活性剂对硅片进行处理,可以有效控制颗粒的吸附状态,对CMP清洗有重要作用。
- 李薇薇刘玉岭周建伟王娟
- 关键词：化学机械全局平面化键合表面活性剂
