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文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 4篇噻吩
  • 3篇导电
  • 3篇导电聚合物
  • 3篇电聚合
  • 3篇醚基
  • 3篇聚噻吩
  • 3篇氟烷
  • 2篇化学氧化
  • 1篇导电性
  • 1篇导电性能
  • 1篇电池
  • 1篇调聚
  • 1篇乙烯
  • 1篇生物传感
  • 1篇生物传感器
  • 1篇四氟
  • 1篇偏氟乙烯
  • 1篇谱性质
  • 1篇聚偏氟乙烯
  • 1篇聚偏氟乙烯膜

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇杨士勇
  • 5篇张景云
  • 4篇张旭庆
  • 3篇沈雪明
  • 1篇沈卫东
  • 1篇洪洁
  • 1篇陆伟

传媒

  • 2篇化学学报

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1992
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
含氟烷氧基及含氟烷醚基取代聚噻吩及其聚合方法及应用
一类含氟烷氧基及含氟烷醚基取代聚噻吩导电聚合物,结构式为式中n表示0—2的整数,m表示1—3的整数,X的值在100—400之间。该聚噻吩可通过化学氧化或电解聚合方法来制备,它较其碳氢类似物具有较好的电稳定性,环境稳定性及...
张景云张旭庆沈雪明杨士勇
文献传递
可溶性聚[3-(2,2,3,3-四氟丙氧基)噻吩]的光谱性质
1992年
研究了中性和经FeCl_3掺杂后聚[3-(2,2,3,3-四氟丙氧基)噻吩](P3FT)溶液的光谱性质.中性P3FT具有特殊的溶剂色效应,其甲醇溶液的溶剂化吸收带强度随P3FT浓度增大而增强,该吸收带是高分子链与链之间的相互作用(即聚合物的聚集态结构)的反映.用电子光谱跟踪FeCl_3掺杂P3FT的过程,结果表明,P3FT随着掺杂程度的增大,载流子由极化子转变成双极化子,且双极化子的能级位于禁带中间,与孤子相似.
杨士勇沈卫东张景云
关键词:聚噻吩
含氟烷氧基及含氟烷醚基取代聚噻吩及其聚合方法及应用
一类含氟烷氧基及含氟烷醚基取代聚噻吩导电聚合物,结构式为; <Image file="94112113.5_AB_0.GIF" he="120" imgContent="undefined" imgFormat="GIF...
张景云张旭庆沈雪明杨士勇
文献传递
含氟烷氧基及含氟烷醚基取代噻吩及其制备方法
一类含氟烷氧基及含氟烷醚基取代噻吩化合物,结构式表示如下:<Image file="94112112.7_AB_0.GIF" he="213" imgContent="undefined" imgFormat="GIF"...
张景云张旭庆沈雪明杨士勇
文献传递
脱氟化氢聚偏氟乙烯膜的制备,表征和导电性能的研究被引量:3
1997年
聚偏氟乙烯(PVDF)膜与一些有机弱碱作用脱氟化氢(HF)生成表面为聚一氟乙炔(PFA)的膜.红外、紫外可见光谱分析表明脱HF的PVDF膜的共轭链结构比较规整.X光电子能谱、反应深度和接触度的分析表明,PVDF脱HF反应主要发生在膜表面,脱HF的PVDF膜(PFA)经各种掺杂剂掺杂后电导率上升5~6个数量级,最高可达10^(-4)S/cm,且在掺杂过程中表现出的性质不同于聚乙炔.
洪洁杨士勇张旭庆陆伟张景云
关键词:聚偏氟乙烯膜PVDF膜导电性
共1页<1>
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