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杨锡震

作品数:45 被引量:76H指数:5
供职机构:北京师范大学分析测试中心更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家攀登计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 40篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 24篇电子电信
  • 24篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇GAP
  • 11篇发光
  • 10篇半导体
  • 9篇磷化镓
  • 7篇量子
  • 6篇能级
  • 5篇深能级
  • 5篇光致
  • 5篇光致发光
  • 4篇离子注入
  • 4篇量子点
  • 4篇P
  • 3篇砷化铟
  • 3篇凝聚态
  • 3篇晶体
  • 3篇EBIC
  • 3篇X
  • 2篇单晶
  • 2篇导体
  • 2篇低维体系

机构

  • 42篇北京师范大学
  • 14篇中国科学院
  • 2篇昆明师范高等...
  • 1篇南京化工大学
  • 1篇曲阜师范大学
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇山西省教育学...

作者

  • 45篇杨锡震
  • 6篇田强
  • 5篇封松林
  • 4篇王亚非
  • 4篇李桂英
  • 4篇吴正龙
  • 3篇李智
  • 3篇李永良
  • 3篇陈枫
  • 2篇杨国健
  • 2篇杨晓荣
  • 2篇黄大定
  • 2篇周洁
  • 2篇赵普琴
  • 2篇王世润
  • 2篇李海雁
  • 1篇刘玉梁
  • 1篇曾贻伟
  • 1篇范希武
  • 1篇汪辉

传媒

  • 7篇物理实验
  • 7篇发光学报
  • 7篇北京师范大学...
  • 6篇大学物理
  • 4篇Journa...
  • 4篇第四届全国发...
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  • 2篇液晶与显示
  • 1篇科学通报
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇电子显微学报
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年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 7篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 4篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1989
  • 1篇1988
  • 9篇1986
  • 1篇1985
  • 2篇1981
45 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响
1997年
GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非(北京师范大学物理系,北京100875)关键词:GaPLED位错LPE1前言高效率绿色发光二极管(LED)的少数载流子扩散长度接近7μm[1]。当外延层的位错密度过高时,位错间...
李桂英杨锡震孙寅官王亚非
关键词:位错磷化镓单晶
半导体低维体系简介被引量:11
2001年
介绍了量子阱、量子线、量子点、半导体超晶格。
田强杨锡震
关键词:低维体系量子点超晶格凝聚态物理二维电子气光电性质
GaP单晶中的背景深能级(详细摘要)
林振金杨锡震王世润
关键词:单晶能级光致发光发光中心磷化镓
国产ZnSe背景深能级的光电容谱
级的存在是引起ZnSe中自补偿效应的主要原因。深能级还可引起非辐射复合或长波光辐射,有损于材料的兰色发光。该文主要介绍了用国产末掺杂的ZnSe进行了光电容测量情况。样品系由长春物理所用汽相升华法生长的n型ZnSe。测量方...
杨锡震潘维喀蔚波
关键词:发光材料能级半导体工艺硒化锌
InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质被引量:2
1998年
我们利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品,确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级.测得1.7和2.5原子层InAs量子点电子基态能级相对于GaAs的导带底分别为100meV和210meV,量子点电子基态的俘获势垒分别为0.48eV和0.30eV.
陈枫封松林杨锡震王志明赵谦赵谦
关键词:砷化铟自组织生长量子点
GaP:N绿色LEDn_2层载流子浓度的优化
2002年
在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形,计入了n2区产生的压降。考虑到GaP:NLED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流。p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场不能忽略,空穴又被n2-n1结势垒阻挡(设被完全阻挡),则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程,由边界条件求出空穴扩散电流。将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ。对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论。分析表明:当n2值在1015~1016cm-3范围内时,注入效率较高,与实验结果基本相符。
赵普琴杨锡震薛洪涛
关键词:结构参数载流子发光二极管
用结电容技术研究有光—热激发行为的深中心
杨锡震J.W.Alle
关键词:半导体物理激发态发光中心
GaP中重掺N研究
吴柳林振金杨锡震
关键词:半导体物理离子注入光致发光X射线衍射分析磷化镓
异常霍尔效应和自旋霍尔效应被引量:8
2005年
异常霍尔效应和自旋霍尔效应是在常规霍尔效应的基础上引发出的2种新现象.本文介绍了这2种现象及其原理和潜在的应用.
杨锡震杨道生田强
关键词:自旋霍尔效应自旋-轨道相互作用
激光致冷(续)
2006年
Anintroductionis giveninthe si mple terms for anti-Stokes cooling usedfor solids,andthe cooling schemes usedfor neutral atoms,for example,Doppler cooling,evaporation cooling,polar-ization gradient cooling,cooling based on velocity-selective coherent population trapping and cavitycooling.It contains the relevant principles,technology,present development and applications.
杨晓荣杨国健杨锡震
关键词:中性原子多普勒温度
共5页<12345>
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