杨靖波
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：北京市优秀人才培养资助北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程航空宇航科学技术更多>>
- 量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化被引量：1
- 2005年
- 2MeV,1×109~2×1013cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应.研究表明,随辐照注量增大,电池Isc,Voc,Pmax衰降程度增大,相同的注量,Pmax衰降程度最大.当辐照注量大于3×1012cm-2时,电池Isc衰降程度比Voc的大,当注量小于3×1012cm-2时,电池Voc衰降程度比Isc的大,与量子阱结构受到损失有关.在整个波长范围,随辐照注量增加,相对光谱响应的衰降变化增大,在900~1000nm波长范围,2×1013cm-2质子辐照电池使量子阱光谱响应特性消失.
- 杨靖波王荣孙旭芳刘运宏段立颖
- 关键词：GAAS太阳电池质子辐照
- 量子阱GaAs空间太阳电池质子辐射效应研究
- 本工作利用注量l×109～2×1013 cm-2，2 MeV质子辐照量子阱GaAs空间太阳电池，对其辐射效应进行了研究。结果表明：随质子辐照注量的增加，量子阱GaAs太阳电池短路电流ISC、开路电压VOC、最大输出功率P...
- 杨靖波
- 关键词：GAAS
- 文献传递
- 量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应被引量：3
- 2005年
- 用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应，分析了1×10^9～2×10^13cm^-2，2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池．结果表明，随辐照注量增大，电池，Isc,Voc，Pmax衰降程度增加；相同的注量，Pmax衰降程度最大．当注量大于3×10^12cm^-2时，Isc衰降程度比Voc的大；当注量小于3×10^12cm^-2时，Voc衰降程度比Isc的大；在900～1000nm波长范围内，2×10^13cm^-2辐照使量子阱光谱响应特性消失．这与量子阱结构受到损伤引入位于Ec-0．35eV的深能级有关．
- 王荣杨靖波范强许颖孙旭芳
- 关键词：GAAS太阳电池质子辐照
- GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化被引量：1
- 2006年
- 利用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束模拟空间环境辐射,对引入量子阱GaAs太阳电池和无量子阱GaAs太阳电池进行2MeV质子注量为1×109—2×1013cm-2的辐照,通过电池I-V特性和光谱响应测试,研究分析了它们的辐射效应。结果表明这两种电池的Isc、Voc和Pmax的衰降幅度均随辐照注量增加而增大;而相同注量的辐照,引入量子阱GaAs太阳电池电性能衰降幅度要比无量子阱GaAs太阳电池的大。经2×1013cm-2质子辐照后,引入量子阱GaAs太阳电池光谱响应在400—1000nm整个波段有明显衰降,且长波区(900—1000nm)的量子阱特性消失。量子阱结构的引入使GaAs太阳电池的抗辐射性能下降。
- 刘运宏王荣孙旭芳杨靖波段立颖
- 关键词：GAAS太阳电池质子辐照
