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沈瑜生

作品数:82 被引量:334H指数:11
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 67篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 4篇专利

领域

  • 40篇电子电信
  • 10篇理学
  • 9篇自动化与计算...
  • 9篇一般工业技术
  • 5篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 2篇自然科学总论
  • 1篇机械工程

主题

  • 60篇气敏
  • 20篇气敏材料
  • 20篇气敏性
  • 18篇SNO
  • 15篇氧化铁
  • 15篇气敏性能
  • 15篇感器
  • 15篇传感
  • 15篇传感器
  • 13篇氧化物
  • 13篇氧化锡
  • 12篇陶瓷
  • 12篇半导体
  • 10篇气敏传感器
  • 10篇气敏元件
  • 10篇复合氧化物
  • 10篇Α-FE
  • 10篇掺杂
  • 8篇纳米
  • 8篇二氧化锡

机构

  • 75篇中国科学技术...
  • 6篇郑州轻工业学...
  • 4篇河南师范大学
  • 3篇郑州轻工学院
  • 2篇西安交通大学
  • 2篇中国科大
  • 1篇滁州师范专科...
  • 1篇河南大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇莱阳农学院
  • 1篇中国科技大学
  • 1篇无锡轻工大学
  • 1篇中国科学院福...

作者

  • 82篇沈瑜生
  • 21篇刘杏芹
  • 18篇王弘
  • 14篇张天舒
  • 10篇曾桓兴
  • 10篇沈荷生
  • 9篇娄向东
  • 8篇徐甲强
  • 6篇刘亚飞
  • 5篇陈春华
  • 4篇曲宝涵
  • 4篇王存
  • 4篇徐正良
  • 4篇张瑞芳
  • 4篇曾宇平
  • 4篇刘勇
  • 3篇张俊颖
  • 2篇孔令兵
  • 2篇莫茂松
  • 2篇孟广耀

传媒

  • 16篇传感技术学报
  • 9篇功能材料
  • 8篇传感器技术
  • 5篇郑州轻工业学...
  • 5篇应用化学
  • 4篇云南大学学报...
  • 3篇第二届全国敏...
  • 2篇硅酸盐通报
  • 2篇Journa...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇第七届全国湿...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇稀土
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇化学学报
  • 1篇河南科学

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 5篇1998
  • 6篇1997
  • 6篇1996
  • 8篇1995
  • 12篇1994
  • 14篇1993
  • 6篇1992
  • 8篇1991
  • 4篇1990
  • 5篇1989
  • 2篇1986
82 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
镉铁复合氧化物气敏半导体材料及其气敏元件
本发明提供了一种镉铁复合氧化物气敏半导体材料和气敏元件,镉、铁的摩尔比为0.25-1。本发明材料可以直接作为气敏材料,又可作为气敏基体材料以不同掺杂进行改性制成气敏元件。本发明对乙炔、乙醇等气体灵敏度高,保持灵敏度的工作...
刘杏芹徐正良沈瑜生
文献传递
一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系被引量:5
1996年
用NH4)2CO3作沉淀剂制得Cd:Sn=1:1的粉料,经750℃、15h热处理可得单相钛铁矿型β-CdSnO3。元件的电导-温度(G-t)特征表明β-CdSnO3为典型的表面电阻控制型气敏材料,无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此,β-CdSnO3很有希望作为一种新型的气敏材料体系。
张天舒沈瑜生
关键词:气敏材料半导体材料
掺镉纳米SnO_2的热稳定性、电导及气敏性能被引量:9
1995年
本文研究了CdO掺杂对纳米SnO_2粉料的热稳定性,电导及气敏特性的影响。结果表明,以非晶状态均匀分散在SnO_2颗粒表面的CdO能阻止SnO_2之间的相互扩散,提高了纳米SnO_2的热稳定性;固溶于SnO_2晶粒中的CdO量(Cd/Sn<0.05)很小,但对元件的电导影响显著;纳米级的晶粒尺寸(<6nm)及CdO的掺杂大大改善了SnO_2的气敏特性。
张天舒沈瑜生张瑞芳
关键词:热稳定性气敏传感器纳米粉料二氧化锡
SO<'2-><,4>掺杂对Cd<,2>Sb<,2>O<,6.8>气敏性能的增效性研究
浸泡法向化学共沉淀法得到的Cd〈,2〉Sb〈,2〉O〈,6.8纯相超微粉中掺入了一系列的SO〈’2-〉〈,4〉研究了SO〈’2-〉〈,4〉在材料中的位置及其作用,测试了掺杂相的气敏性能。实验发现,掺杂1mol℅的SO〈’...
刘亚飞刘杏芹沈瑜生
关键词:掺杂气敏性能气敏材料
掺锑α-Fe_(2)O_(3)的结构和性能被引量:5
1995年
用化学共沉淀与固相反应相结合的方法,在α-Fe_2O_3中掺入一定量的锑离子。X射线衍射(XRD)分析表明,掺锑量(Sb/Fe原子比)小于0.2.材料仍保持小Fe_2O_3的晶体结构,但是加入量>0.2时,有铁、锑复合氧化物生成。通过分析Sb的掺入对α-Fe_2O_3的晶粒生长及电学性质的影响,认为该系列材料的气敏性能有大幅度的提高,是锑的掺入改变了α-Fe_2O_3的气敏机理。
张瑞芳张天舒沈瑜生
关键词:掺杂共沉淀气敏传感器
ZnO系半导体陶瓷气敏传感器的进展被引量:13
1991年
本文综述了ZnO系气敏半导体材料的发展慨况,讨论了元件的结构与气敏效应的关系,评述了解释ZnO系气敏材料性质的敏感机理,探讨了目前存在的问题及今后的发展方向。
娄向东沈荷生沈瑜生
关键词:ZNO半导体陶瓷气敏材料传感器
CdSnO_3的合成、结构与气敏性质被引量:1
1993年
如今,人们深知单一组分半导体气敏材料,即使掺杂,其性能也终不能令人满意,因而出现具有特定结构的复合氧化物气敏材料,如ZnSnO_3、LaFeO_3以及稀土氧化物与二氧化锡的复合氧化物.作者为此研究了CdO和SnO_2复合氧化物的合成条件、结构及气敏性质,得到了一些有价值的结果.1 实验1.1
王存王弘沈瑜生
关键词:半导体材料气敏性质
MO-PECVD SnO_(2-x)气敏薄膜被引量:1
1993年
以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普通PECVDSnO_(2-x)薄膜元件的气敏性能作了比较,对SnO_(2-x)膜的气敏机理作了探讨。
李支文冯蕴道崔宇平沈瑜生
关键词:半导体材料气敏薄膜气相淀积
ZnO-CdO二元体系的导电机制和气敏效应 ̄①被引量:2
1997年
采用化学共沉淀与固相反应相结合的方法,合成了一系列不同Zn/Cd比氧化物粉料。研究了不同Zn/Cd比对相结构、电导与气敏性能的影响.没有发现Zn,Cd氧化物形成明显的置换固溶体或第三相,但存在间隙固溶体现象。Zn/Cd比为8/2时,元件对H2和C2H2有较高的灵敏度和选择性。
沈瑜生尚文刘杏芹
关键词:气敏性能氧化物半导体氧化镉导电机制
氧化铁超微粉相变过程研究被引量:30
1994年
对用低温PCVD方法制备的氧化铁超微粉从初始生成态到800℃退火后不同阶段的晶化和相变过程进行了较系统的研究。结果表明,初始生成物为β-Fe_2O_3,退火后逐渐转变为γ-Fe_2O_3,继而转变为α-Fe_2O_3,到800℃形成单一的α-Fe_2O_3,这些相变和晶化过程是一种缓慢的渐变过程。
冯蕴道何贤昶曾桓兴沈瑜生
关键词:氧化铁超微粉相变晶化
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