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潘国辉

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇多孔
  • 1篇多孔SIO2
  • 1篇SCLC
  • 1篇SIO
  • 1篇F

机构

  • 1篇兰州大学

作者

  • 1篇王印月
  • 1篇缑洁
  • 1篇潘国辉
  • 1篇何志巍

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
用SCLC法研究低k多孔SiO_2:F薄膜的隙态密度
2006年
用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响,得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1,以及带隙中隙态随能量的分布.并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.
缑洁何志巍潘国辉王印月
关键词：SCLC
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共1页<1>
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