王同喜
- 作品数：4 被引量：7H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 载流子输运和寄生参数对隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器调制特性的影响被引量：1
- 2009年
- 建立了一种适用于多量子阱和多有源区的多层速率方程模型.通过小信号分析,得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对单有源区和隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器频率响应特性的影响,并分析了在相同驱动电流下隧道再生双有源区器件调制带宽大于单有源区器件的原因.进一步研究了隧道再生双有源区内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器的寄生电参数及其寄生电路,对其频率响应进行了模拟分析.
- 王同喜关宝璐郭霞沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器速率方程调制特性隧道再生
- 注入电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响被引量：6
- 2008年
- 对980nm氧化限制型垂直腔面发射激光器横模进行测试和研究,理论上从时间、空间变量的速率方程出发,利用空间积分法分析了典型电注入参数对弱折射率导引垂直腔面发射激光器(VCSELs)横模行为的影响,通过实验测试,得到VCSELs的横模光场分布情况,并与理论分析进行对比,得出相应的实验结果,在氧化孔径不变的情况下,随着注入电流的增加,载流子分布从有源区中心向边缘移动,模式从低阶基模向高阶模转变,并发生了较强的模式竞争以及载流子空间烧孔效应,最终导致基模强度的降低.另一方面,通过比较不同注入孔径下高阶模的发生时刻,得出越小的注入孔径,注入强度越低的时候,VCSELs更易实现单横模工作的实验结果.
- 杨浩郭霞关宝璐王同喜沈光地
- 关键词：横模垂直腔面发射激光器
- 垂直腔面发射激光器高速调制特性研究
- 垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，缩写为 VCSEL)在半导体激光器历史中发展虽然较晚，但是凭借其多方面的优势，自问世以来便跻身于光通讯、光互联、光交换、光...
- 王同喜
- 关键词：高速调制垂直腔面发射激光器速率方程隧道再生VCSEL器件
- 文献传递
- 内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究被引量：1
- 2009年
- 建立了一种适用于多量阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多层速率方程模型。在理论与实验基础上,对器件进行小信号分析,得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对VCSEL频率响应特性的影响。结果表明VCSEL调制带宽会随着输出功率增大而变宽。并进一步研究了内腔接触氧化限制型VCSEL的寄生电参数及其寄生电路,对其小信号频率响应进行了模拟分析。
- 王同喜郭霞关宝璐沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器调制特性速率方程寄生参数
