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王海栋

作品数：57 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 34篇应变SI
  • 32篇BICMOS
  • 24篇双极器件
  • 22篇迁移率
  • 15篇多晶
  • 15篇自对准
  • 15篇晶面
  • 14篇SIGE_H...
  • 13篇空穴
  • 13篇空穴迁移率
  • 13篇光刻
  • 13篇发射区
  • 11篇电子迁移率
  • 10篇电路
  • 10篇淀积
  • 10篇刻蚀
  • 10篇集成电路
  • 8篇混合集成电路
  • 8篇干法刻蚀
  • 8篇SOI

机构

  • 57篇西安电子科技...

作者

  • 57篇王海栋
  • 56篇胡辉勇
  • 56篇宋建军
  • 56篇宣荣喜
  • 56篇张鹤鸣
  • 56篇郝跃
  • 32篇王斌
  • 30篇舒斌
  • 16篇周春宇
  • 11篇李妤晨
  • 10篇吕懿
  • 9篇戴显英

年份

  • 7篇2016
  • 18篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 26篇2012
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种三多晶SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法
本发明适用于半导体集成电路领域，提供了一种三多晶SOI SiGeHBT集成器件及制备方法，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，淀积介质层，制备浅槽隔离，光刻集电区浅槽隔离区域，制备...
张鹤鸣周春宇宋建军胡辉勇宣荣喜王斌王海栋郝跃
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一种基于三多晶SiGe HBT的混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了基于三多晶SiGe？HBT的混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；刻蚀双极器件有源区，生长N型Si外延，制备集电区，...
张鹤鸣李妤晨胡辉勇宋建军王海栋宣荣喜舒斌郝跃
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一种双应变CMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种双应变CMOS集成器件及制备方法，在衬底上连续生长P型Si外延层、P型渐变SiGe层等作为NMOS结构材料层，刻蚀出PMOS有源区深槽，在槽中选择性外延生长N型Si层等作为PMOS有源区，在NMOS和PM...
胡辉勇宋建军宣荣喜张鹤鸣王斌王海栋郝跃
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一种应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种用微米级工艺制备应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法，该方法通过外延材料制备步骤、隔离制备步骤、漏连接区制备步骤和PMOS形成步骤，形成PMOS器件；最后通过构成PMOS集成电路步骤构成导电沟道长度...
张鹤鸣王海栋胡辉勇宋建军宣荣喜王斌周春宇郝跃
一种SOI SiGe BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种制备SOI？SiGe？BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底上生长N型Si外延，制备浅槽隔离，形成集电极接触区，刻蚀形成侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光刻集电极窗口，淀积N型Po...
王斌胡辉勇张鹤鸣周春宇宋建军王海栋宣荣喜郝跃
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一种基于自对准工艺的双多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法
本发明适用于半导体集成电路技术领域，提供了一种基于自对准工艺的双多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法，在SOI衬底上生长N型Si外延，光刻浅槽隔离区域，制备浅槽隔离，刻蚀并磷离子注入，形成集电极接触区，依次淀积...
胡辉勇宋建军王斌张鹤鸣宣荣喜王海栋周春宇郝跃
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一种混合晶面三应变BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种混合晶面三应变BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在制备SOI衬底，在该衬底上刻蚀双极器件有源区，在该区域连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，制备深槽隔离，制备集电区、基区和发射区，形成集电极、...
张鹤鸣宋建军王海栋周春宇胡辉勇宣荣喜舒斌郝跃
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一种混合晶面双应变硅基CMOS集成器件及制备方法
本发明公开了混合晶面双应变硅基CMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备一片SOI衬底，上层基体材料为（110）晶面，下层基体材料为（100）晶面；在600～800℃，在NMOS区域刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（100）...
张鹤鸣李妤晨宋建军胡辉勇宣荣喜王斌王海栋郝跃
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一种混合晶面垂直沟道Si基BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种混合晶面垂直沟道Si基BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延，形成集电区，依次湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，制备Poly-Si发射区和Poly-Si发射极与...
胡辉勇宣荣喜张鹤鸣宋建军吕懿舒斌王海栋郝跃
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一种基于晶面选择的三应变SOI Si基BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了基于晶面选择的三应变SOI？Si基BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备SOI衬底；连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，淀积介质层，制备集电区浅槽隔离和基区浅槽隔离，光刻集电区并磷离子注入，形...
胡辉勇宋建军王海栋王斌张鹤鸣宣荣喜舒斌郝跃
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