王英伟
- 作品数：52 被引量：250H指数：12
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺化学工程更多>>
- Nd^(3+):KGd(WO_4)_2晶体生长及激光性能被引量：6
- 2005年
- 本文采用泡生法生长出Nd3+:KGd(WO4)2晶体,Nd3+浓度3·2at.%。测试了其吸收光谱及荧光光谱,通过计算获得808nm吸收截面为0·6799×10-20cm2;荧光输出波长为1068nm和1351nm。在激光实验中,当LD泵浦源输出功率为900mW时,获得1064nm、326mW的激光输出,斜效率62.7%,水平和垂直两个方向上光束传输因子M2均小于1·2。经倍频获得532nm的绿光。用Cr:LuAG作为可饱和吸收体进行调Q实验,重复频率为15kHZ时,脉冲宽为170ns。
- 张礼杰王英伟雷鸣李俊李建利王宇明刘景和
- 关键词：泡生法LD泵浦激光性能
- Nd:KGW晶体生长工艺研究
- 掺钕钨酸钾钆(分子式:Nd:KGd(WO),简称Nd:KGW)晶体属于C2/c空间群,单斜晶系,其晶胞参数为:α=0.81nm,b=1.043nm,c=0.761nm,β=94.37°。Nd:KGW激光晶体的发射截面为σ...
- 王英伟李建立张亮雷鸣张礼杰刘景和
- 文献传递
- Yb3+:KGW激光晶体生长与表征
- 通过对K2WO4和K2W2O7两种助溶剂的对比、分析。选择K2W2O7做助溶剂,采用顶部籽晶(TSSG)法生长Yb:KGW晶体.设计了合理的工艺条件:转速:10-15r/min;降温速率:0.05℃/h;生长周期:15d...
- 王英伟程灏波朱忠丽孙晶刘景和
- 关键词：晶体生长
- 文献传递
- 熔盐法生长Nd:KGW多波长激光晶体结构及光谱性能的研究被引量：3
- 2004年
- 采用熔盐法,以K2W2O7为助溶剂,优化了晶体生长的工艺参数,生长出了新型稀土激光晶体Nd∶KGW。采用XRD及X射线荧光分析,确认了所得到的晶体为β Nd∶KGW晶体。通过TG DTA分析和测量,得到了其熔点及相变温度分别为1086℃和1021℃。利用红外光谱和Raman光谱确定了其分子基团的振动归属。通过测量其吸收光谱,该晶体在波长为808nm处有强吸收峰,可以与激光二极管有效地耦合。通过计算,获得了其峰值吸收截面积。测试了该晶体的荧光光谱,所得到的晶体发射波长为1.06μm和1.35μm。
- 王英伟程灏波刘景和李艳红洪元佳
- 关键词：熔盐法晶体生长激光晶体光谱
- 勾形磁场中直拉硅单晶浓度场的数值模拟研究被引量：9
- 2005年
- 为有效控制晶体尺寸、金属杂质含量、掺杂元素及氧分布的均匀性,提出在非均匀轴对称勾形磁场中利用磁控提拉法生长硅单晶。用有限差分法对非均匀轴对称勾形磁场中直拉硅单晶体系中的浓度场进行数值模拟研究,基于直拉硅单晶生长系统的物理及数学模型,进行无量纲化处理,借助于相应的边界条件进行求解,并针对不同工艺条件下熔体中及界面处氧浓度分布情况进行模拟研究。结果表明:在勾形磁场作用下,通过改变磁场强度、晶体和坩埚转速及晶体半径可有效控制固液界面处氧浓度及分布均匀性,从而在晶体中获得径向均匀的氧浓度。
- 王英伟刘景和程灏波李建利
- 关键词：硅单晶引上法晶体生长浓度场有限差分法数值模拟
- Nd∶NaBi(WO_4)_2晶体生长被引量：5
- 2003年
- 采用Czochralski法生长出尺寸为 8mm× 2 0mm的掺钕的钨酸铋钠 [分子式 :Nd∶NaBi(WO4) 2 ,简称 :Nd∶NBW ]激光晶体 ,研究了生长工艺参数对Nd∶NBW晶体结构完整性的影响 ,确定了最佳的生长工艺参数 :轴向温度梯度为 0 .7～ 1℃ /mm ,生长速率 0 .2～ 0 .5mm/h ,晶体转速 1～ 4r/min。并利用了X射线衍射确定了Nd∶NBW晶体属于四方晶系 ,I41 /a空间群 ,其晶格常数为a =0 .5 2 75nm ,c=1.14 93nm。通过TG -DTA分析了Nd∶NBW晶体的相关物理、化学性质 ,确定了其熔点为 936.2℃ ,并与纯的钨酸铋钠晶体 (分子式 :NaBi(WO4) 2 ,简称 :NBW)
- 刘景和易里成容孙晶王英伟李建立张亮于亚勤
- 关键词：提拉法晶体生长激光晶体
- PWO晶体生长与完整性研究
- 用Cz法生长尺寸为Φ25×30mm的高质量的PWO晶体.设计了合理的工艺参数,总结了影响PWO晶体完整性的因素.发现晶体开裂有四种形式,横向层状似的断裂;纵向长裂纹;沿解理面(101)或(011)面开裂;无规则碎裂.通过...
- 刘景和王英伟孙晶李建利张亮
- 关键词：结构应力钨酸铅晶体晶体生长开裂原因
- 文献传递
- Li_2B_4O_7晶体在SAW技术中的应用研究被引量：2
- 2002年
- 采用CZ法生长了30× 30mm3 的Li2 B4 O7单晶体。对晶体的压电性能进行了研究 ,弹性系数的交叉分量少 ,数值相对较小 ;在 (0 0 1)面内有较高的声波传播速度 ,其变化范围为 6 5 0 0～ 70 80m/s,在 [0 0 1]方向有较低的声波传播速度 ,大约为 5 16 0m/s;而压电性能表明在不同方向的机电耦合系数均比石英晶体相应参数大得多。对晶体谐振器和压控震荡器的性能进行了研究 ,发现其机电耦合系数近似石英的十倍 ,很适合用来制作宽频器件。晶体谐振器的频率温度特性为抛物线型 ,其转变温度在室温 ,在 - 10℃～ 5 5℃温度范围内频率变化为 3× 10 -4 ,具有良好的频谱响应 ,其寄生频率高出主振 180kHz,衰减大于 30dB ,完全能满足器件使用要求。晶体滤波器 3dB带宽的相对宽度为1%,而石英仅为 0 .4%。
- 曹莹孙晶朱忠丽李建利王英伟刘景和
- 关键词：压电性能谐振器
- 软杀伤战术激光武器及作用机理的研究被引量：18
- 2004年
- 光电对抗技术是随着光电技术在军事领域中的广泛应用应运而生的一门崭新学科,而软杀伤激光武器是其中的重要组成部分。软杀伤激光武器作为光电对抗的一种重要手段,在高技术战争中发挥着重要作用,它是以干扰破坏敌方光电系统或致盲、半致盲敌方人员为目的的激光武器,论述了软杀伤武器的作用机理及未来的发展方向。
- 关效贤朴贤卿孙晶王英伟朱忠立刘景和
- 关键词：光电对抗软杀伤激光武器
- YVO_4双折射晶体生长及完整性分析被引量：6
- 2003年
- 在较低氧分压的保护气氛中用提拉法 (CZ法 )生长YVO4晶体 ,采用自行设计的气压计 ,精密调节炉内的氧、氮比例 ,有效防止了晶体生长中的过度缺氧 ,生长出33mm× 31mm(等径 )YVO4晶体。设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件 :转速 5～ 10r/min ,拉速 :2～ 6mm/h ,生长周期 :2 4h ,液面上 8mm温度梯度 2 .875℃ /mm。用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察 ,认为它们的成因主要是生长速率过快 ,生长环境中湿度大及晶体中存在分解和挥发性物质等。
- 王英伟程灏波刘景和
- 关键词：YVO4晶体完整性提拉法晶体缺陷
