缪国庆
- 作品数：178 被引量：159H指数：7
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路
- 本发明属于新型平板显示器制造领域，涉及一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，包含FPGA控制单元、行后级集成驱动单元、列后级集成驱动单元、静态数据存储单元和电源模块单元；FPGA控制单元通过单元控制信号访问静...
- 陈一仁宋航蒋红缪国庆李志明黎大兵孙晓娟
- 文献传递
- 一种场致电子束泵浦紫外光源
- 本发明公开了一种场致电子束泵浦紫外光源，所述场发射电子源包括第一电极、第二电极、n型GaN半导体层、场致发射阴极阵列及第一电源；所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次为所述第二AlN缓冲层、所述n型GaN半导体层；...
- 陈一仁宋航张志伟缪国庆蒋红李志明孙晓娟黎大兵
- 文献传递
- 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法
- 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，涉及场发射显示器件领域，它解决了现有制作场发射阳极屏时存在ITO电极条局部区域绝缘性低而产生干扰亮点，并且ITO层和衬底玻璃表面的视觉反差小，造成ITO条图形不清楚的问题，将ITO玻...
- 李志明孙晓娟宋航黎大兵陈一仁缪国庆蒋红
- 文献传递
- 单片集成日盲紫外及近红外双色光电探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种单片集成日盲紫外及近红外双色光电探测器，由下至上依次包括AlN模板、AlGaN/AlN超晶格层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、导电氧化物纳米天线及金属叉指电极；所述金属叉指电极包括交叉设置的第一叉指...
- 陈一仁宋航张志伟蒋红缪国庆李志明
- 文献传递
- SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响
- 2012年
- 采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可见抑制比大于103。
- 贾辉陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明
- 关键词：MSM紫外探测器
- 扩展波长InGaAs近红外探测器模拟研究
- 红外探测技术是红外光电技术的核心,其研究进展决定一个国家红外光电技术的发展水平.众所周知,工作在1～2.6μm的近红外探测器件,在军用、民用及航空航天等领域都具有重要的应用价值和前景.InGaAs探测器是近年来最具发展前...
- 张志伟曾玉刚缪国庆
- 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文)被引量：2
- 2012年
- 通过直流磁控反应溅射装置,在蓝宝石(0001)衬底和氮化的蓝宝石(0001)衬底上成功制备了氮化铝(AIN)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力学显微镜和双光束扫描分光计,研究了蓝宝石氮化对AIN薄膜结构、应力、晶粒尺寸、形貌和光学性质的影响。X射线衍射研究表明:制备的AIN薄膜具有较强的(0002)择优取向,蓝宝石衬底的氮化不仅能够改善AIN结晶质量,而且还可以减少薄膜的残余应力。但是,原子力学显微镜结果表明:在蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布比在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布更加均匀。我们认为,蓝宝石衬底在氮化的过程中形成的AIN具有过多的位错和缺陷,正是这些位错和缺陷造成了在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布的不均匀性。吸收光谱显示:蓝宝石衬底的氮化并没有对AIN薄膜的光学性质产生明显的改善。
- 王新建宋航黎大兵蒋红李志明缪国庆孙晓娟陈一仁贾辉
- 关键词：光吸收表面形貌
- 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响被引量：2
- 2012年
- 利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明:与氮化处理后生长的a-GaN相比,使用低温AlN缓冲层后生长的a-GaN具有较小的摇摆曲线的半高宽和较低的残余应变,而且其结构各向异性和残余应变各向异性也均有一定程度的降低。因此,与氮化处理相比,低温AlN缓冲层更有利于a-GaN的生长。
- 贾辉陈一仁孙晓娟黎大兵宋航蒋红缪国庆李志明
- 关键词：各向异性拉曼散射光谱
- 宽探测范围2.6微米InGaAs pin探测器结构和性能研究
- 短波红外1.0-2.6 μm探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义.目前在InGaAs红外探测器结构设计中,特别是半导体光伏型红外探测器中,都采用p-i-n结构,盖层分别是p型InAsP或InAlAs,吸...
- 缪国庆张志伟曾玉刚
- 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法
- 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，涉及平板场发射真空光电子器件领域，它解决了现有制作绝缘层的工艺复杂，绝缘性差，成品率低的问题，首先利用光刻技术在阴极电极条上做光刻胶占位点，然后旋涂低熔点玻璃浆料，经过烘干、整形...
- 李志明孙晓娟宋航黎大兵陈一仁缪国庆蒋红
- 文献传递
