胡云
- 作品数：30 被引量：49H指数：4
- 供职机构：新余学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电气工程经济管理电子电信更多>>
- 磁场应用在硅晶体生长过程中的研究进展被引量：4
- 2013年
- 论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状。另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景。
- 张发云罗玉峰李云明王发辉胡云彭华厦
- 关键词：多晶硅磁场数值模拟
- 多晶硅定向凝固过程中热电磁流动的数值模拟
- 2014年
- 采用基于有限元分析方法的COMSOL 4.3a多物理场仿真软件,模拟了稳恒磁场作用下,硅熔体在多晶硅定向凝固过程中热电磁流动的变化规律。结果表明,当0≤B<0.4T时,硅熔体流动区域以及平均流速随着磁感应强度的增大而增大,磁场对硅熔体的流动起促进作用;当磁感应强度为0.4T时,平均流速最大值为60.15μm/s,硅熔体流动能力最强;当0.4T
- 罗玉峰宋华伟张发云胡云彭华厦饶森林
- 关键词：多晶硅定向凝固数值模拟
- 轴向磁场下多晶硅定向凝固研究被引量：1
- 2018年
- 利用有限元软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行二维数值模拟,研究轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响。模拟结果显示,未加磁场时多晶硅固液界面的等温线是下凹的;当线圈中加以不同的电流进行磁场模拟时,发现轴向磁场能够有效地抑制硅熔体对流,进而影响结晶时的固液界面。随着电流的增大,熔体最大流速减小,最大洛伦兹力也增大。通过试验验证,相同的工艺条件,在磁场作用下相比于没有磁场时硅锭的界面由下凹变得平滑。
- 刘志辉罗玉峰饶森林胡云张发云张发云刘杰
- 关键词：多晶硅定向凝固数值模拟轴向磁场
- 一种多晶硅铸锭用坩埚
- 一种多晶硅铸锭用坩埚，包括底部和侧壁，侧壁为方形或圆形，内底面为凸面，其中心剖视图为一圆弧形，凸面顶端与底端的高度差为20~40mm；凸面上设有若干连续的圆锥形凸出结构，圆锥形凸出结构均匀分布在坩埚内壁的底部，圆锥形凸出...
- 罗玉峰饶森林张发云胡云刘绍欢龚洪勇
- 文献传递
- 轴向磁场下多晶硅铸造过程的仿真模拟被引量：11
- 2013年
- 利用多物理场耦合分析软件COMSOL Multiphysics4.2对多晶硅铸造过程进行模拟仿真,得到轴向磁场作用下多晶硅定向生长过程中的流场和温度场分布,以及磁场对坩埚内流场和温度场的影响,并分析了磁场作用机理,为磁场在多晶硅生产中的应用提供了参考依据。
- 罗玉峰袁文佳张发云胡云彭华厦
- 关键词：轴向磁场多晶硅数值模拟流场温度场
- 工业硅中金属杂质分布及存在形式被引量：1
- 2014年
- 选取工业硅锭不同位置的硅块做对比实验,对其中杂质特别是金属硬质杂质的形貌、分布、种类和含量做了详细研究,并对Fe、Al杂质的去除提出了湿法酸浸出的后续处理方案。
- 于站良刘仪柯唐雅琴张发云李水根熊明辉胡云
- 关键词：工业硅金属杂质
- 基于单开链单元的空间机构震动力完全平衡的单位向量法被引量：1
- 2012年
- 提出了一种基于单开链单元的空间机构震动力完全平衡的单位向量法,按照序单开链的机构结构分解方法,机构可被分解为一组有序单开链。用在机构各构件上固接相互垂直的三单位向量表示单开链单元的质径积方程,再利用闭环向量方程和相邻构件某些单位向量的关系消去一些线性相关的单位向量,从而导出机构的震动力完全平衡条件。此方法不需进行坐标变换矩阵的运算,导出的平衡条件为标量形式,推导过程简单,文中给出了一个例子。
- 罗玉峰廖斌石志新胡云张斌
- 关键词：震动力单开链单位向量
- 太阳电池铸造多晶硅材料的结构缺陷及其控制被引量：5
- 2015年
- 铸造多晶硅具有高的性价比,已成为主要的光伏材料,其晶体内的结构缺陷显著影响太阳电池的转换效率。综述了传统铸造多晶硅太阳电池材料和新型黑硅太阳电池材料的研究进展,同时阐述了控制多晶硅中的杂质、晶界、位错的途径及方法。
- 李云明罗玉峰张发云胡云王发辉
- 关键词：多晶硅晶界位错
- 稳恒磁场对多晶硅定向凝固结晶阶段流速场的影响
- 2015年
- 采用有限元Comsol 4.3a软件对多晶硅定向凝固结晶阶段3个时期(前期、中期、后期)坩埚内硅熔体的流速场进行数值模拟,并与不同磁场强度下的硅熔体流速场进行了对比分析。结果表明,硅熔体的平均流速随着结晶时间的延长而减小,从初期的38μm/s减小到后期的16μm/s,下降了57.89%。施加磁场后,硅熔体的平均流速随着磁场强度的增大而减小:结晶初期、中期和后期,硅熔体的平均流速分别减小了42.11%、58.59%和45.16%。结晶阶段3个时期分别施加磁场强度为0.6、0.4、0.2 T时,磁场对硅熔体的对流抑制作用最为明显。
- 罗玉峰宋华伟张发云彭华厦胡云饶森林
- 关键词：多晶硅磁场流速场数值模拟
- 坩埚厚度对多晶硅定向凝固的影响被引量：5
- 2017年
- 运用Comsol Multiphysics有限元软件对多晶硅的定向凝固过程进行了模拟,分析了不同坩埚厚度(15、20、25 mm)对多晶硅熔化、结晶过程及晶体热应力的影响。结果表明:当坩埚厚度为15 mm时,熔化所需要的时间最短,比坩埚厚度为20 mm和25 mm时分别少31 min和74 min;结晶初期,坩埚厚度为25 mm时的固液界面最为平坦,最有利于晶体的生长;多晶硅晶体底部边缘和顶部边缘区热应力高;坩埚厚度为15 mm时,晶体内热应力最大,且随着坩埚厚度的增大,两个区域的应力都减小。
- 刘志辉罗玉峰饶森林胡云龚洪勇刘杰
- 关键词：多晶硅温度场热应力数值模拟
