胡新宇
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- FeMn掺杂AlN薄膜的制备及其特性研究
- 2013年
- 采用直流磁控共溅射技术,以Ar与N2为源气体,硅片为衬底成功地制备了Fe,Mn掺杂AlN薄膜.利用X射线衍射和拉曼光谱研究了工作电流、靶基距离等工艺参数的改变对薄膜结构的影响.利用扫描电子显微镜和能谱分析仪对薄膜的表面形貌和组成成分进行了分析.利用振动样品磁强计在室温下对Fe,Mn掺杂AlN薄膜进行了磁性表征.Mn掺杂AlN薄膜表现出顺磁性的原因可能是由于Mn掺杂浓度较高,在沉积过程部分Mn以团簇的形式存在,反铁磁性的Mn团簇减弱了体系的铁磁交换作用.Fe掺杂AlN薄膜表现出室温铁磁性,这可能是AlFeN三元化合物作用的结果.随着Fe掺杂AlN薄膜中Fe原子浓度从6.81%增加到16.17%,其饱和磁化强度Ms由0.27 emu·cm-3逐渐下降到0.20 emu·cm-3,而矫顽力Hc则由57 Oe增大到115 Oe(1 Oe=79.5775 A/m),这一现象与Fe离子间距离的缩短及反铁磁耦合作用增强有关.
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- 关键词：氮化铝薄膜磁性
- ITO玻璃衬底上沉积的高结晶取向的氧化锌薄膜
- 锌薄膜是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体薄膜材料,具有较块体更为优异的光、电、磁等性能,可以用来制作场发射器件、紫外纳米激光器、光电探测器、太阳能电池、催化剂、化学传感器等.
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- 表面覆盖钛薄膜的纳米片状碳膜场发射特性(英文)
- 2010年
- 利用石英管型波等离子体化学气相沉积装置在Si衬底上沉积了纳米片状碳膜,然后采用电子束蒸镀方法在碳膜表面沉积了一层2 nm厚的Ti膜,并在高真空系统中测量了覆盖Ti膜前后的纳米片状碳膜的场发射特性.研究表明:覆盖Ti膜的纳米片状碳膜因表面生成碳化钛而改性,使得场发射特性得到改善;表面覆盖Ti膜后,阈值电场由2.6 V/μm下降到2.0 V/μm,当电场增加到9 V/μm时,场发射电流由12.4 mA/cm2增加到20.2 mA/cm2.
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- 关键词：场发射
- 过渡金属掺杂AlN薄膜的制备及其特性研究
- 稀磁半导体由于在自旋电子学设备上的潜在应用,已经受到科研工作者的广泛关注,但这类半导体的磁性来源一直是目前争议的焦点,因此有必要进一步研究。氮化铝薄膜是直接带隙宽禁带Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物,具有优异的光电特性,因此AlN薄...
- 胡新宇
- 关键词：氮化铝薄膜过渡金属光电特性磁化强度
- 文献传递
