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蒲月皎

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇载流子
  • 1篇微细
  • 1篇微细加工
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇量子
  • 1篇量子模型
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米尺寸
  • 1篇集成电路
  • 1篇MOSFET...
  • 1篇超大规模集成
  • 1篇超大规模集成...
  • 1篇大规模集成电...

机构

  • 1篇兰州大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 1篇王印月
  • 1篇蒲月皎
  • 1篇刘丕均
  • 1篇张亚非

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型被引量：5
2005年
随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10nm范围内。因此从理论上研究纳米尺寸器件的性能和特性对发展超大规模集成电路尤为重要。综述了纳米级MOSFET器件数值模拟的量子模型,以及在该模型下用到的几种载流子输运模型,并结合模拟结果对这一模型作了评价。
蒲月皎刘丕均张亚非王印月
关键词：载流子超大规模集成电路MOSFET器件微细加工技术纳米尺寸量子模型
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