采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory)TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.
为全面分析外电场对分子发光特性的影响,本文采用密度泛函B3P86方法6-31g(d)基组,对SiN分子进行了基态结构的优化,进而使用含时密度泛函方法(time dependent density functional theory,TDDFT),计算了不同方向及大小的外电场情况下SiN分子的吸收谱、激发能、振子强度、跃迁偶极矩.通过比较发现外电场对该分子的激发能、吸收谱、跃迁振子强度及跃迁偶极矩影响都比较明显,说明了电场对SiN分子的激发特性影响比较复杂,特别是在加场前后分子均有在可见光区波段的吸收谱,这对研究分子的发光很有意义.同时对该分子所发可见光谱的产生机理进行了分析,并与已有实验结果进行比较.
