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谢家志

作品数:5 被引量:19H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇抗辐射
  • 2篇抗辐射加固
  • 1篇电流镜
  • 1篇电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子器件
  • 1篇温度补偿
  • 1篇系统级封装
  • 1篇空间飞行
  • 1篇互连
  • 1篇集成电路
  • 1篇鉴频
  • 1篇鉴频器
  • 1篇光互连
  • 1篇光子
  • 1篇航天
  • 1篇航天电子
  • 1篇封装
  • 1篇NM

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 5篇谢家志
  • 3篇赖凡
  • 2篇杨晗
  • 2篇毛海燕
  • 1篇陈爱华
  • 1篇王健安
  • 1篇张健

传媒

  • 5篇微电子学

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2014
  • 1篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源被引量:3
2021年
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度补偿效果的基准输出电压。仿真结果表明,电路可工作在1.1 V到1.5 V电压范围内;在-55℃~160℃范围内,电压基准的温度系数可达5.9×10^(-6)/℃;在1.2 V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为10μW和273.5 mV。
杨晗侯晨琛钟泽谢家志廖书丹
抗辐射加固技术发展动态研究被引量:1
2022年
辐射效应已成为影响集成电路(IC)在宇宙空间可靠应用的主要因素。文章对IC抗辐射加固技术的研究进展进行了综述。首先,简介了抗辐射加固技术。然后,综述了抗辐射加固技术国外发展动态,介绍了美国在抗辐射加固技术方面的管理方式、技术路线、进展及典型应用。最后介绍了国内相关技术的进展,指出研究美国抗辐射加固技术的发展动态可促进国内抗辐射加固技术的发展。该综述对国内抗辐射加固技术的实际应用及推广具有一定借鉴意义。
毛海燕赖凡谢家志张健
关键词:抗辐射加固集成电路航天电子
一种脉冲调制信号鉴频器的设计
2004年
 介绍了脉冲调制信号鉴频器构成的原理,详细分析了影响其温度稳定性的各种因素,并给出了相应的解决措施。采用具有温度补偿措施的双二极管整流电路,解决了对鉴频器温度性能影响最大的整流电路温度变化问题。所设计的脉冲调制鉴频器在-20~70°C温度范围内鉴频输出电压变化小于5%。最后,简要介绍了鉴频器对不同重复频率的调制信号(占空比相同)的兼容性问题及其设计。
陈爱华谢家志
关键词:鉴频器磁控管AFC
超高速光互连系统级封装技术前沿研究
2020年
光互连系统级封装技术是用光互连在封装尺度上代替铜互连,以突破目前芯片间通信低速度瓶颈。超高速光互连系统级封装的目标是开发出可集成光子收发器,并嵌入到现代尖端的系统级封装中(SiP)中,以提高并行计算系统的数据传输效率或速度。文章介绍了超高速光互连系统级封装关键技术及前沿研究情况,通过分析IMEC、Intel、BAE系统公司等研究机构的开发现状和技术发展路线,论述了光互连SiP关键技术的发展趋势。
谢家志毛海燕赖凡杨晗
关键词:光互连INP系统级封装
微电子器件抗辐射加固技术发展研究被引量:15
2014年
对微电子器件抗辐射加固的发展态势进行了分析研究。目前,对微电子器件进行抗辐射加固的主要技术是抗辐射加固设计和抗辐射加固工艺;微电子技术的进步促进了抗辐射加固的新设计技术、新工艺技术、封装技术和试验手段不断发展,刺激了完整有效的设计、验证体系和制造能力的形成;领先国家的技术发展重点在于加强设计、工艺、制造领域的抗辐射加固能力,提升微电子器件的抗辐射加固指标、容错能力和高可靠性品质。研究结果对建立完整的抗辐射加固体系,加速抗辐射加固技术发展具有一定的参考价值。
王健安谢家志赖凡
关键词:微电子器件抗辐射加固SOISIGE
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