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陈剑辉

作品数:82 被引量:29H指数:3
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省应用基础研究计划更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 32篇专利
  • 16篇会议论文
  • 8篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 21篇电气工程
  • 6篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 5篇化学工程
  • 5篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 33篇电池
  • 20篇钝化
  • 12篇太阳电池
  • 12篇太阳能电池
  • 8篇太阳能
  • 6篇异质结
  • 6篇铁电
  • 6篇纳米
  • 6篇
  • 5篇光伏
  • 4篇退火
  • 4篇晶体硅
  • 4篇硅电池
  • 4篇硅太阳电池
  • 4篇掺杂
  • 3篇电池结构
  • 3篇电池效率
  • 3篇电化学
  • 3篇电极
  • 3篇电容

机构

  • 57篇河北大学
  • 2篇英利集团有限...
  • 1篇暨南大学

作者

  • 57篇陈剑辉
  • 24篇陈静伟
  • 22篇陈兵兵
  • 16篇郭建新
  • 15篇麦耀华
  • 12篇刘保亭
  • 9篇王淑芳
  • 9篇许颖
  • 5篇赵庆勋
  • 5篇代秀红
  • 4篇闫小兵
  • 3篇王宽冒
  • 3篇赵冬月
  • 3篇杨静
  • 2篇王英龙
  • 2篇郭哲
  • 2篇孙杰
  • 2篇张璐
  • 2篇傅广生
  • 2篇宋登元

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇物理学报
  • 1篇河北大学学报...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十四届中国...

年份

  • 2篇2024
  • 14篇2023
  • 11篇2022
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 8篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
82 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法
本发明提供了一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法。本发明首先采用HF、H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>和添加剂的混合溶液使多晶硅基片在18~25℃下经2000~2300s减薄至90‑120μm,减薄...
何仁陈静伟陈剑辉黄志平宋登元许颖
文献传递
n型晶体硅太阳电池及其制备方法
本发明提供了一种n型晶体硅太阳电池及其制备方法。所述n型晶体硅太阳电池的背场是通过n型晶体硅和n型晶体硅背面的低功函材料来实现的;低功函材料为低功函金属或低功函合金;低功函金属可以为镁、锗、锂、钕或钙等,低功函合金可以为...
麦耀华陈兵兵葛坤鹏沈艳娇许颖陈剑辉
文献传递
含Ni-Al阻挡层硅基BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3铁电电容器的结构及物理性能被引量:4
2011年
以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)/SRO异质结电容器。X射线衍射(XRD)分析表明:Ni-Al阻挡层为非晶结构,BFMO薄膜为具有良好结晶质量的多晶结构。在5 kHz测试频率下,SRO/BFMO/SRO电容器呈现饱和的电滞回线。实验发现,SRO/BFMO/SRO铁电电容器具有良好的抗疲劳性能。漏电机制研究表明,外加电场小于210 kV/cm时,SRO/BFMO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在电场大于210kV/cm时,满足空间电荷限流传导机制。
陈剑辉刘保亭魏大勇王宽冒崔永亮王英龙赵庆勋韦梦袆
关键词:NI-AL阻挡层
退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究被引量:2
2010年
应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ti-Al/Si(LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响。实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6min的样品具有较好的物理性能。在418kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22μC/cm2和83kV/cm。LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7kV/cm时为欧姆导电,高于46.7kV/cm时为肖特基导电机制。
郭颖楠刘保亭赵敬伟王宽冒王玉强孙杰陈剑辉
关键词:退火工艺PZT磁控溅射法溶胶-凝胶法
一种Cu与铁性氧化物功能薄膜集成的方法
本发明公开了一种Cu与金属氧化物铁性薄膜的集成方法,它是以半导体材料为衬底,构成Ni-Al/半导体衬底异质结构层;再依次构架Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构层;Ni-Al/Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构、金属氧...
刘保亭陈剑辉边芳赵庆勋郭庆林王英龙
一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池
本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域,提出了一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池。其中空穴传输层包括炭黑和磺酸基化合物;所述磺酸基化合物包括双三氟甲烷磺酰亚胺、全氟磺酸、PS‑b‑PERB中的一种或几种;所述的一...
高青陈剑辉张璐杨学良张旭宁杨德华袁晓阳陈静伟陈兵兵
新型钝化技术与钝化机制--高质量聚合物钝化效果及其电化学钝化机制的发现
研究表明:PEDOT:PSS,O2/光照环境下提供高质量钝化效果,但本源来自PSS;钝化机制是基于氧化还原反应的电化学钝化机制,少子寿命受电荷转移控制。
陈剑辉沈艳娇陈兵兵葛坤鹏杨林林许颖麦耀华
关键词:电化学法少子寿命
一种晶体硅电池侧边钝化涂层及钝化方法
本发明涉及硅电池技术领域,提出了一种晶体硅电池侧边钝化涂层,包括(2‑(9H‑咔唑‑9‑基)乙基)膦酸溶液和活性剂,直接涂刷涂在晶体硅的侧面即可。通过上述技术方案,降低了由于激光切割导致晶体硅电池侧边复合的影响,提高组件...
陈剑辉张旭宁王笑李文恒陈兵兵郭建新高青陈静伟王淑芳
一种硅材料的钝化检测系统
本实用新型涉及硅材料检测技术领域,提出了一种硅材料的钝化检测系统,包括依次连接的输送装置、钝化装置和检测装置,钝化装置包括机箱、第一输送件、喷涂机和风干装置,第一输送件设置在机箱内,喷涂机设置在机箱内,位于第一输送件上方...
陈剑辉高青张旭宁李文恒陈静伟李锋杨学良郭建新许颖宋登元
一种有机分子对硅表面钝化效果的预测方法
本发明提供了一种有机分子对硅表面钝化效果的预测方法,其采用基于密度泛函的第一性原理方法进行预测,包括:建立有机分子与硅表面的吸附模型,计算吸附能,确定有机分子钝化硅表面时的稳定钝化结构;计算稳定钝化结构界面的电子结构属性...
郭建新孟子杰刘晨旭蒋佳月王亚茹刁艳如陈剑辉梁伟华
文献传递
共6页<123456>
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