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顾雅华
作品数:
1
被引量:11
H指数:1
供职机构:
北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所
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发文基金:
北京市科技新星计划
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相关领域:
电气工程
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合作作者
李艳
北京师范大学核科学与技术学院低...
叶小琴
北京师范大学核科学与技术学院低...
许颖
北京太阳能研究所有限公司
王文静
北京太阳能研究所有限公司
周宏余
北京师范大学核科学与技术学院低...
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李艳
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北京师范大学...
年份
1篇
2004
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PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用
被引量:11
2004年
采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅 (SiN)薄膜 ,再对薄膜进行快速热退火处理 ,研究了在不同温度下SiN薄膜的退火特性 .通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率 ,发现退火后薄膜的厚度下降 ,折射率升高 ;采用准稳态光电导衰减QSSPCD测少数载流子寿命 ,发现少子寿命有很大程度的下降 .还研究了SiN薄膜对多晶硅电池性能的影响 。
叶小琴
许颖
李艳
顾雅华
周宏余
王文静
关键词:
氮化硅薄膜
等离子增强化学气相沉积
太阳电池
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