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马赫

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：南京理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇铁电
  • 5篇存储器
  • 4篇铁电薄膜
  • 3篇铁电存储器
  • 2篇导体
  • 2篇底电极
  • 2篇雨雾
  • 2篇溶液浸泡
  • 2篇水热
  • 2篇水热合成
  • 2篇水热合成法
  • 2篇探测器
  • 2篇铁电体
  • 2篇铁电性
  • 2篇铁酸铋
  • 2篇墙体表面
  • 2篇热合成
  • 2篇自清洁
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积

机构

  • 12篇南京理工大学

作者

  • 12篇马赫
  • 12篇袁国亮
  • 5篇骆溁
  • 5篇刘治国
  • 4篇杨玉玺
  • 3篇高文秀
  • 3篇常磊
  • 2篇王海洋
  • 2篇陈江鹏
  • 2篇徐玉青
  • 1篇王峻岭

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2014
  • 2篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法
本发明公开了一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法。所述的薄膜为晶体薄膜，具备铁电性，其组成物质为有机-无机化合物分子铁电体。将分子铁电体溶液与清洁的基片相接触，并均匀地在基片上铺展且蒸发以获得均匀的薄膜，并将制得的均匀薄...
袁国亮马赫常磊高文秀
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一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜
本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜，所述薄膜成分以通式Bi<Sub>2(1-x)</Sub>A<Sub>2x</Sub>(FeCr)<Sub>1-y</Sub>B<Sub>2y</Sub>O<Sub...
徐玉青袁国亮杨玉玺马赫刘治国
一种光读取铁电存储器极化存储状态的方法
本发明公开了一种光读取铁电存储器存储状态的方法。包括以下步骤：根据铁电存储单元材料的禁带宽度来选取相应的光源波长；采用上述光源在5-500μW/cm<Sup>2</Sup>光功率密度下读取电流，确定电流方向；极化方向与所...
袁国亮骆溁马赫王峻岭刘治国
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室温下在无定形基片上生长C3N2H5ClO4准单晶铁电膜
C3N2H5ClO4 分子铁电体具有单一铁电极化轴和3m 点群,与LiNbO3 类似.它在室温至100 度具有较大的铁电极化、较小的铁电矫顽场.通过水溶液法,在室温附近,在无固定形态的Pt 或石英基片上生长了C3N2H5...
袁国亮高文秀马赫常磊
一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体，分子式为BiFe<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中x为0.0005-0.5，A为Nb或Mn...
骆溁陈江鹏马赫袁国亮刘治国
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一种柔性耐高温BaTi&lt;sub&gt;1‑x&lt;/sub&gt;Co&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;阻变存储器
本发明公开了一种柔性耐高温BaTi<Sub>1‑x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>阻变存储器，其结构为：衬底上设置底电极，底电极上设置BaTi<Sub>1‑x</Sub>Co<Sub>x...
谢忠帅杨玉玺马赫袁国亮
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一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体，分子式为BiFe<Sub>1-x</Sub>A<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中x为0.0005-0.5，A为Nb或Mn...
骆溁陈江鹏马赫袁国亮刘治国
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一种自清洁喷涂液制造及使用方法
本发明揭示了一种自清洁喷涂液制造及使用方法，通过水热合成法制备TiO<Sub>2</Sub>胶体溶液，将其以一定比例溶入有机溶剂制成自清洁喷涂液。经过简单喷涂或刷涂方式，可快速在玻璃、金属、卫浴陶瓷及墙体表面形成持久的保...
袁国亮王海洋骆溁马赫
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一种自清洁喷涂液制造及使用方法
本发明揭示了一种自清洁喷涂液制造及使用方法，通过水热合成法制备TiO<Sub>2</Sub>胶体溶液，将其以一定比例溶入有机溶剂制成自清洁喷涂液。经过简单喷涂或刷涂方式，可快速在玻璃、金属、卫浴陶瓷及墙体表面形成持久的保...
袁国亮王海洋骆溁马赫
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一种柔性耐高温BaTi<Sub>1-x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>阻变存储器
本发明公开了一种柔性耐高温BaTi<Sub>1‑x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>阻变存储器，其结构为：衬底上设置底电极，底电极上设置BaTi<Sub>1‑x</Sub>Co<Sub>x...
谢忠帅杨玉玺马赫袁国亮
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