高俊
- 作品数：9 被引量：13H指数：2
- 供职机构：常熟理工学院物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信文化科学更多>>
- 近代物理实验教学中培养学生科研能力的探索被引量：2
- 2015年
- 通过对近代物理实验教学过程的改革,提出了培养大学生创新意识、科研兴趣及科研能力的方法途径,并结合具体实验进行探索。
- 高俊
- 关键词：近代物理实验
- Ag纳米薄膜的等离激元对RH6G分子的荧光增强研究被引量：3
- 2015年
- 利用磁控等离子体溅射团簇束流沉积法制备不同覆盖率的Ag团簇薄膜,控制薄膜的组装结构以及与罗丹明6G(RH6G)分子的间距,研究薄膜的表面等离激元(SPP)对分子发光增强的作用。结果表明,当分子与薄膜紧邻时,将导致其荧光的淬灭,当分子与薄膜之间有氮化硅介质阻隔层时可有效抑制荧光的淬灭。当在薄膜与分子间生长厚度为15 nm左右的介质阻隔层时,使分子荧光增强约450%。随着介质阻隔层厚度增加,荧光增强强度按e指数衰减。
- 高俊
- 关键词：等离激元
- Fe_xSn_(100-x)合金颗粒薄膜的反常霍耳效应被引量：1
- 2004年
- 采用离子束溅射的方法制备了一系列不同原子比的FexSn1 0 0 x合金颗粒膜 ,系统地研究了该体系的反常霍耳效应 .在该薄膜中发现了铁磁金属 非磁金属体系中最大的霍耳电阻率 ,讨论了不同原子配比、薄膜厚度对霍耳效应的影响 .通过研究饱和霍耳电阻率 ρxys同电阻率 ρxx的关系 ,讨论了反常霍耳效应的机理 .
- 高俊蒋晓龙任尚坤倪刚张凤鸣都有为
- 关键词：离子束溅射铁磁金属
- Ag纳米粒子点阵的表面等离激元共振特性调控被引量：5
- 2015年
- 通过纳米粒子束流气相沉积方法在衬底表面沉积稠密银纳米粒子点阵。通过对纳米粒子覆盖率的精细控制与纳米粒子点阵消光谱的实时监测,实现了其表面等离激元共振峰频率的系统调控。随着Ag纳米粒子密度的增加,点阵的表面等离激元共振波长发生红移,可逐步由小于400 nm增大到570nm以上。研究发现,表面等离激元共振波长的变化与随纳米粒子沉积量增加而增加的紧密相邻的纳米粒子对的百分数相关。
- 高俊韩民
- 关键词：表面光学红移近场耦合
- 掺铁氧化锌室温磁性半导体
- 采用溶胶-凝胶法制备了Zn0.98Fe0.020块材样品,利用XRD检测了样品的结构.结果表明样品具有ZnO的六角结构,并且只有ZnO的衍射峰出现,没有Fe或Fe的化合物等杂相存在,说明样品只包含单相znO.结果还进一步...
- 文剑锋刘兴翀曾毅高俊张凤鸣都有为
- 关键词：溶胶-凝胶法氧化锌磁性半导体
- 文献传递
- 掺铁氧化锌室温磁性半导体被引量：2
- 2004年
- 采用溶胶-凝胶法制备了Zn0.98Fe0.02O块材样品,利用XRD检测了样品的结构.结果表明样品具有ZnO的六角结构,并且只有ZnO的衍射峰出现,没有Fe或Fe的化合物等杂相存在,说明样品只包含单相ZnO.结果还进一步说明掺杂的部分Fe替代了部分Zn的位置.利用VSM所作的分析测量表明,样品是铁磁性的,且居里温度高于室温.
- 文剑锋刘兴种曾毅高俊张凤鸣都有为
- 关键词：溶胶-凝胶法氧化锌磁性半导体
- Cu_x(Al_2O_3)_(1-x)颗粒膜的巨霍耳效应研究
- 2003年
- 在由磁性金属颗粒镶嵌在非磁金属或绝缘基体中而形成的两相非均匀颗粒系统中 ,当磁性金属的体积百分含量处于临界值时 ,体系的输运行为有许多奇异的现象。相继在在磁性金属 非磁金属和磁性金属 绝缘体系统中发现了巨磁电阻效应和隧道磁电阻效应 ;特别的在磁性金属 绝缘体系统中发现了反常霍耳效应的极大增强 ,称为巨霍耳效应。为了探讨颗粒体系的巨霍耳效应的机制 ,本文用离子束共溅射的方法制备了大约 1.5× 10 - 7m厚度的Cux(Al2 O3) 1 -x颗粒薄膜 ,研究了非磁金属 绝缘体体系 :Cu Al2 O3颗粒系统的巨霍耳效应 ,发现在量子渗流阈值时 ,霍耳电阻比正常金属高 2个数量级。
- 高俊蒋晓龙倪刚王飞张凤鸣都有为
- 关键词：霍耳效应
- Ag纳米点阵的等离激元对LED的发光增强研究
- 2015年
- 通过研究LED的有源层(量子阱)和Ag纳米点阵的表面等离激元(SPP)、局域等离激元(LSP)的电磁增强效应产生有效的近场耦合(near-field coupling)作用,分析Ag纳米点阵对LED发光增强的影响.研究表明,Ag点阵的SPP、LSP对LED量子阱存在发光增强作用,在15%左右的Ag点阵覆盖率下可使量子阱发光有约10%的增强.而在更高的覆盖率下,反而出现发光减弱.
- 高俊
- 关键词：等离激元时间分辨光谱
- Pd纳米粒子点阵的电子输运特征及其与纳米粒子覆盖率的关系
- 2015年
- 研究了Pd纳米粒子点阵在不同温度下的电子输运特性.对于覆盖率达到渗流阈值附近的纳米粒子薄膜,其电导具有显著的量子输运的特征.随着温度的降低,I-V特征曲线表现出越来越明显的非线性,满足Middleton-Wingreen(MW)模型所描述的标度律.处于量子传导态的Pd纳米粒子阵列在低温下以变程跳跃(VRH)为主要输运方式,而在高温下则是以热激活隧穿为主要输运形式.
- 高俊韩民
- 关键词：电子输运特性
