黄和鸾
- 作品数：17 被引量：16H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 介电常数失配对InAs/GaAs应变量子阱中浅施主结合能的影响
- 1997年
- 研究了介电常数失配对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中浅施主结合能的影响。在有效质量近似下，利用变分方法计算了结合能随阱宽和杂质位置的变化。计算结果表明，介电常数失配对结合能的影响很大，这与前人的工作相符合，但晶格常数失配产生的应变对结合能的影响很小，并可以忽略。
- 邢金海黄和鸾
- 关键词：结合能介电常数砷化铟
- 应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)的电子结构被引量：2
- 1993年
- 本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)(n=1)的电子结构。计算了两种应变组态(赝晶生长,Free-Standing生长)下超晶格总的态密度,各原子的局域和分波态密度。我们发现:带隙E_g、费米能级E_f和原子价随应变的变化而变化;(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)超晶格中离子键和共价键共存;电子在界面附近发生了转移。
- 黄和鸾张国英
- 关键词：化合物半导体超晶格电子结构
- 应变层超晶格（ZnSe）_n／（ZnS）_m的亚带结构
- 1994年
- 本文讨论了应变对越晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ在Ｔ点带边结构的影响，计算了带偏移：并在双量子阱近似下，用有效质量近似方法计算了应变层超晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ的亚带结构。
- 汪静黄和鸾
- 关键词：应变层超晶格半导体材料
- 多孔硅的形成与电流电压特性研究
- 1996年
- 本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。
- 沈桂芬黄和鸾王正荣高博静刘岩郭兴加
- 关键词：多孔硅阳极氧化量子限制效应电流-电压特性
- 多孔硅形貌的观测与生长机理分析被引量：3
- 1997年
- 本文在实验基础上，对多孔硅的形成形貌学进行了研究。用日立Ｓ－７５０型扫描电镜观测了不同条件下生长的多孔硅的正面和侧面孔的形貌。对得到的实验结果进行了较为详细的分析。
- 沈桂芬黄和鸾王正荣高博静刘岩郭兴家李莹
- 关键词：多孔硅阳极氧化量子限制效应
- 球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变被引量：2
- 1999年
- X射线衍射与高分辨电子显微术证实了在球磨条件下可发生α SiC向β SiC的转变 .高分辨电子显微术证实α SiC中的 6H SiC向β( 3C) SiC的转变是通过磨球和粉末碰撞时在相邻密排面上引入不全位错实现的 .其基本过程是不全位错的运动使 6H的一个 ( 3,3)堆垛向 ( 4,2 ) ,( 5 ,1 )至 ( 6 ,0 )堆垛序过渡 ,形成 6层 3C SiC的{1 1 1 }堆垛 ,相继进行这一过程即可完成 6H SiC向 3C SiC的转变 .
- 杨晓云石广元黄和鸾吴玉琨
- 关键词：碳化硅球磨半导体X射线衍射分析
- 多能谷Si—ni pi超晶格材料的电子性质被引量：1
- 1987年
- 本文采用各向异性有效质量计算了多谷材料硅nipi超晶格的电子态和有效带隙。计算结果表明:在同样的掺杂浓度和超晶格周期下、超晶格的方向选取不同就会得到不同的能谱和禁带宽度。在对称性较高的三个方向(100)、(110)、(111)上,沿(100)方向上的有效带隙最窄,与用各向同性有效质量的计算结果相比较,发现规律是一致的。
- 郭丽伟黄和鸾
- 关键词：超晶格SI电子性质施主杂质
- Si/Si_(1-x)Ge_x 异质结双极晶体管的研究概述
- 1993年
- 本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的结构和特性以及对 Si_(1-x)Ge_x 合金层质量估价和异质结特性的检测方法。
- 高嵩黄和鸾陈国栋李威
- 关键词：异质结双极晶体管
- SiC结构的多型性被引量：3
- 1998年
- 本文介绍了ＳｉＣ结构的多型性及其表示方法，总结了迄今为止已发现的１６０余种多型体，并介绍了本文作者发现的一个新的多型体１１４Ｒ－ＳｉＣ．ＨＪ１〗
- 杨晓云石广元黄和鸾
- 关键词：碳化硅陶瓷
- 热壁外延制备的n－PbTe／p－Si异质结特性研究被引量：1
- 1995年
- 本文报道了首次用热壁外延（ＨＷＥ）方法，在Ｓｉ（１００）衬底上，制备ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果．由Ｘ－射线衍射谱确认，ＰｂＴｅ外延层是单晶，Ｉ－Ｖ曲线表明，该异质具有良好的整流特性．由Ｃ－Ｖ测量得到异质结的内建电势差．最后算出能带偏移．
- 杨玉琨李文明于磊杨易徐立兴熊欣王善力黄和鸾
- 关键词：碲化铅异质结热壁外延硅
