您的位置: 专家智库 > >

何法

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:北京大学物理学院重离子物理研究所更多>>
发文基金:国家基础科学人才培养基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇临界电流
  • 1篇临界电流密度
  • 1篇厚度
  • 1篇JC
  • 1篇MGO
  • 1篇衬底
  • 1篇MGB_2

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇张辰
  • 2篇何法
  • 2篇冯庆荣
  • 1篇潘杰云
  • 1篇王越
  • 1篇陈艺灵
  • 1篇王达

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
MgO(111)衬底MgB_2超薄膜的制备和性质研究被引量:2
2013年
利用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在MgO(111)衬底上制备了干净的MgB2超导超薄膜.在背景气体压强、载气氢气流量以及沉积时间一定的情况下,改变B2H6的流量,制备得到不同厚度的系列MgB2超导薄膜样品,并测量了其超导转变温度Tc,临界电流密度Jc等临界参量.该系列超导薄膜沿c轴外延生长,表面具有良好的连接性,且有很高的超导转变温度Tc(0)≈35—38K和很小的剩余电阻率ρ(42K)≈1.8—20.3μ.cm.随着膜厚的减小,临界温度变低,而剩余电阻率变大.其中20nm的样品在零磁场,5K时的临界电流密度Jc≈2.3×107A/cm2.表明了利用HPCVD在MgO(111)衬底上制备的MgB2超薄膜有很好的性能,预示了其在超导电子器件中广阔的应用前景.
潘杰云张辰何法冯庆荣
MgB2超导膜的厚度与其Jc(5K,0T)的关系
2013年
通过混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD),在(000l)SiC衬底上制得一系列从10 nm到8μm的MgB2超导膜样品,并对它们的形貌、超导转变温度Tc和临界电流密度Jc与膜厚度的关系进行了研究.观察到Tc随膜厚度增加上升到最大值后,尽管膜继续增厚,但Tc值保持近乎平稳,而Jc则先随膜厚度增加上升到最高值后,继而则随膜的厚度的增加而下降.MgB2膜的Tc(0)和Tc(onset)值与膜厚的关系基本一致,Tc(0)在膜厚为230 nm处达到最大值Tc(0)=41.4 K,而Jc(5K,0T)在膜厚为100 nm时达到最大值,Jc(5 K,0 T)=2.3×108A·cm-2,这也说明了我们能用HPCVD方法制备出高质量干净MgB2超导膜.本文研究的超导膜厚度变化跨度非常大,从10 nm级的超薄膜到100 nm级的薄膜,再到几微米的厚膜,如此Tc和Jc对膜厚度变化的依赖就有了较完整、成体系的研究.并且本文的工作对MgB2超导薄膜制备的厚度选取具有实际应用意义.
陈艺灵张辰何法王达王越冯庆荣
关键词:厚度临界电流密度
共1页<1>
聚类工具0