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候洵

作品数:8 被引量:17H指数:3
供职机构:中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇光电
  • 2篇光电阴极
  • 2篇红外
  • 2篇发光
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇电子器件
  • 1篇调制
  • 1篇端面泵浦
  • 1篇异构化
  • 1篇真空系统
  • 1篇质谱
  • 1篇质谱分析
  • 1篇探针
  • 1篇特性分析
  • 1篇像散
  • 1篇像散补偿
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇绿光
  • 1篇绿光激光
  • 1篇绿光激光器

机构

  • 8篇中国科学院
  • 2篇西北大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇陕西能源职业...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 8篇候洵
  • 2篇李晋闽
  • 2篇郭里辉
  • 2篇张工力
  • 1篇白永林
  • 1篇李春
  • 1篇曾一平
  • 1篇赵致民
  • 1篇陈烽
  • 1篇张济康
  • 1篇田燕宁
  • 1篇王晓亮
  • 1篇朱炳利
  • 1篇冯晓强
  • 1篇刘英
  • 1篇李隆
  • 1篇杜力
  • 1篇杨滨
  • 1篇缑永胜
  • 1篇龚平

传媒

  • 2篇光子学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇红外技术
  • 1篇高速摄影与光...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 3篇1991
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析
1997年
在国产CBE设备上,用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽(1~18nm)的高质量的In0.53Ga0.47As/InP匹配量子阱结构材料,低温光致发光谱测试结果表明:量子阱材料发光谱峰强且锐,每个阱的激子跃迁峰清晰可辨.当阱宽大于6nm时,阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好;当阱宽小于6nm时,实验值小于理论值;对阱宽相同的窄阱而言,我们样品的实验值高于Tsang的实验值,当阱宽小于4nm时,阱中激子跃迁谱峰的半高宽小于当量子阱界面起伏一个分子单层时所引起的展宽值,表明量子阱的界面具有原子级的平整度;与1nm阱相应的低温光致发光峰的半高宽为21.6meV;7nm阱对应的PL谱峰的半高宽为5.9meV.
王晓亮孙殿照孔梅影候洵曾一平
关键词:GSMBE生长光电子器件
基于BR的非线性特性光子开关的研究
2000年
本文介绍了实现光子开关的材料 BR分子的重要特性 ,从理论上分析了 BR分子材料光学特性 .从实验上观测了 BR分子材料在 40 0 nm和 632 nm光照射下的相互抑制作用 ,并分析了
田燕宁陈烽冯晓强候洵
关键词:光子开关光异构化光循环
1.25μm InGaAsP光电阴极的研究
<正> 使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的光电成像器件在光纤通讯、医学、夜视以及其它科研领域有着广泛的用途。其核心部件是二元、三元或四元化合物半导体材料光电阴极。国外在对阈波长为0.9μm的GaAs负电
李晋闽郭里辉张工力王存让候洵
文献传递
一种发红光的电子陷获型红外上转换材料的制备被引量:7
1995年
本文研制的电子陷获(ET)型红外上转换材料是在改进传统工艺的基础上,使用硫化助熔法,在石英反应管中,基质合成和掺杂一次完成,具有工艺简单、生长周期短、重复性好的优点。由于反应在密闭系统中完成,安全可靠,对实验室环境保护好,用这种方法制备出的红外上转换材料,在室温下用紫外光或可见光激励后,用红外激发时发红光,并测得了其激发光谱(红外)和发射光谱(红光)。
龚平杜力过晓晖刘英候洵贾炜
关键词:发光粉
高功率端面泵浦Nd∶YVO_4/LBO绿光激光器的研究被引量:6
2003年
为了减少单端高功率泵浦造成的增益介质吸收不均匀性,采用双端泵浦折叠腔结构.折叠腔的模参数调整灵活以及腔内有效空间大,腔内倍频可以降低阈值,提高了全固态激光器对于泵浦光的利用率.对端面泵浦钒酸钇与三硼酸锂构成的四镜Z型腔结构进行了理论研究,分析了Z型折叠腔产生像散的各种因素,合理地优化了腔的各个参数关系,并且在实践中采用三硼酸锂晶体Ⅰ类角度调节相位匹配,在抽运光功率为25W时,成功地获得了3 3W的稳定绿光输出,光-光转换效率达到了14 3%.
李隆赵致民张伟李春白晋涛候洵
关键词:端面泵浦激光器像散补偿
红外InGaAsP光电阴极研究被引量:1
1991年
本文主要对阈值波长可达1.25μm的InGaAsP光电阴极进行了详细的研究。在国内首次实现了在0.5μm~1.25μm波段范围内具有光电响应的半导体光电阴极。用Cs和O_2激活后得到的光电阴极在1.06μm处的反射式光电灵敏度为3.4mA/W,量子效率为0.4%。本文还对激活表面及热清洁工艺进行了系统地分析,确定出了最佳的表面清洁温度及时间。
李晋闽郭里辉王力鸣王存让张工力候洵
关键词:光电阴极半导体发光效率
铯分子源的质谱分析
1991年
本文用质谱分析的方法,对广泛应用于象增强器制作的铯分子源的去气过程进行了质谱分析,给出了铯分子源的最佳去气电流与时间。这组数据将有助于正确控制去气过程。
杨滨张济康候洵
关键词:真空系统质谱分析
基于探针光调制的皮秒分辨X-ray探测方法与实验被引量:3
2015年
高能密度物理研究中涉及许多单次皮秒现象的诊断测量,然而对单次X-ray脉冲形状、X-ray与激光脉冲的皮秒精度同步依然是极具挑战的课题.传统行波选通分幅相机受电子渡越时间限制,难以突破40 ps时间分辨极限.本文围绕半导体中光学探针光的全光调制效应,提出一种以低温GaAs材料为基础,实现皮秒时间分辨X-ray探测的新方法,详细阐述了该探测器的工作机理、器件参数设计和时间分辨能力.通过飞秒激光打靶实验,验证了其概念设计的正确性.结果表明该探测器具有约1.5 ps时间响应和10 ps时间分辨能力,通过材料优化可将时间分辨提升至1 ps以内.
王博白永林曹伟伟徐鹏刘百玉缑永胜朱炳利候洵
共1页<1>
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