凌绪玉
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：西南民族大学电气信息工程学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学自然科学总论金属学及工艺更多>>
- 等离子氮化处理改善铁的耐腐蚀性能研究
- 2017年
- 通过电化学测试方法对等离子氮化处理前后铁的耐腐蚀性进行研究.采用扫描电子显微镜(SEM)对极化试验后样品表面的腐蚀形貌进行观察.结果表明,等离子氮化处理后的样品的蚀孔数量少,其腐蚀程度明显优于未经处理的样品.应用X射线衍射(XRD)及X射线光电子能谱(XPS)分析其腐蚀机理.结果证实,等离子氮化处理后铁的耐腐蚀性能得以改善,归因于材料表面形成的铁氮及铁氧结合层.
- 凌绪玉王芳宁
- 关键词：铁耐腐蚀性能
- 集成成像技术的发展与应用被引量：5
- 2011年
- 集成成像技术是利用微透镜阵列来记录和再现物空间三维信息的一种真3D立体显示技术.因其具有无需助视设备、无视疲劳、无苛刻环境要求等诸多优点,集成成像技术具有非常广泛和诱人的应用前景.本文将介绍集成成像技术的发展及其在3DTV立体显示和信息处理领域中的应用.
- 王芳宁闫安英凌绪玉
- 关键词：3DTV信息处理
- PECVD法制备氮化硅薄膜的电学性能研究被引量：1
- 2013年
- 以硅烷和氨气为前驱体,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备了氮化硅(SiNx)薄膜.利用X射线光电子能谱和红外光谱,研究了在不同的硅烷/氨气流量比条件下,合成的氮化硅薄膜的组分和结构.结果表明:随着硅烷氨气流量比的增加,薄膜的氮硅原子比率增加;更多Si-N成键态随着NH3/SiH4流量比的增加获得.I-V曲线展现了氮化硅薄膜的电学性能.
- 凌绪玉
- 关键词：等离子增强化学气相沉积氮化硅薄膜电子材料电学性能
- 孔隙率对铌硅粉末混合物冲击反应的影响
- 2020年
- 借助二级轻气炮加载平台和飞片撞击技术,在高冲击速度下实现不同初始孔隙率铌硅粉末混合物的冲击回收。对回收产物进行表征分析并探讨高冲击速度下孔隙率对铌硅粉末冲击化学反应的影响,实验结果表明:低孔隙率(10%)铌硅粉末混合物几乎不发生反应;20%孔隙率铌硅粉末发生不完全化学反应并生成了NbSi2;高孔隙率(35%)样品在相同冲击速度(飞片速度约为2.35 km/s)下发生完全反应获得单组分Nb5Si3。在高孔隙率的粉末混合物中,孔隙崩塌产生的高温是导致铌硅粉末反应物发生完全反应的主要原因。
- 凌绪玉凌绪玉刘福生
- 关键词：孔隙率
