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刘士毅

作品数:11 被引量:12H指数:2
供职机构:厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程自然科学总论更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 4篇晶格
  • 4篇光伏
  • 4篇超晶格
  • 3篇伏法
  • 2篇单晶
  • 2篇深能级
  • 2篇能级
  • 2篇光伏效应
  • 2篇红外吸收
  • 2篇
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电池
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电子辐照
  • 1篇多孔硅
  • 1篇异质结
  • 1篇应变层
  • 1篇应变层超晶格
  • 1篇应变超晶格

机构

  • 9篇厦门大学
  • 3篇集美航海学院
  • 1篇华侨大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 11篇刘士毅
  • 8篇朱文章
  • 4篇陈朝
  • 2篇吴正云
  • 1篇颜永美
  • 1篇吴孙桃
  • 1篇江德生
  • 1篇王加宽
  • 1篇周海文
  • 1篇吴荣华
  • 1篇吴建国
  • 1篇陈议明
  • 1篇闵惠芳
  • 1篇庄蔚华
  • 1篇张声豪
  • 1篇陈敏锐
  • 1篇沈华
  • 1篇钟金权
  • 1篇王振英

传媒

  • 5篇厦门大学学报...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇华侨大学学报...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇量子电子学

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 5篇1992
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
双光束瞬态光伏谱测量半导体深能级
1993年
提出一种测量半导体深能级的新方法——双光束瞬态光伏谱.与目前测量深能级通常采用的方法DLTS相比,具有两个突出的优点,对被测样品无破坏性和可直接测量单晶的深能级.测量了掺金硅单晶和电子辐照硅单晶的深能级,结果与公认值完全符合.
朱文章沈顗华刘士毅
关键词:深能级双光束
光伏法研究掺金硅特性被引量:1
1995年
本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命,掺金浓度为10^(12)~6.62×10^(15)cm^(-3),4个数量级;根据对两类不同电阻率的N型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算,提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性,实验和计算结果都表明,高浓度金掺杂可以改变N型高阻硅的导电类型。
朱文章沈顗华刘士毅
关键词:少子寿命光伏深能级
微机控制实现光伏谱自动测量
1994年
报道了由计算机、扫描控制器、光栅单色仪和锁定放大器组成的光伏谱自动测量系统的结构、联机方法和工作流程.与手动光伏测量系统相比,可提高测量效率20倍,使在宽的波长范围内精确测量光伏谱成为容易的事.文中还给出了应用该系统测量AlAs/GaAs超晶格光伏谱的结果.
朱文章沈华刘士毅
关键词:微机自动测量
1-MeV电子辐照对Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质面太阳电池性能的影响被引量:1
1995年
对AlxGal-xAs/GaAs异质面太阳电池经l-MeV电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析.讨论了电池性能衰退的主要原因,并提出了如何提高AlxGa1-xAs/GaAs异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法.
吴正云吴荣华陈朝刘士毅闵惠芳钟金权王振英王加宽
关键词:电子辐照
GaAs/AlAs超晶格低温光伏特性
1993年
在18~300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。
朱文章刘士毅陈朝
关键词:超晶格
半导体材料特性和参数研究被引量:3
2001年
提出超晶格 (Al As/ Ga As)和应变超晶格 (Gex Si1-x/ Si,Inx Ga1-x As/ Ga As)光伏效应的机理 ,测量了不同温度下的光伏谱 ,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰 .计算了导带和价带子带的位置和带宽 ,根据宇称守恒确定光跃迁选择定则 ,对跃迁峰进行指认 .研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化 ,讨论谱峰展宽机制中的声子关联 ,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响 .测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱 ,推导了有关计算公式 ,计算得出电学参数 (L、n0 、μ、S、W)、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分 ;分析了电学参数的温度关系 ;由双能级复合理论 ,研究了少子扩散长度与深能级关系 ,计算了深能级浓度和参数 .在不同条件下研制了二氧化锡 /多孔硅 /硅 (Sn O2 / PS/ Si)和二氧化锡 /硅 (Sn O2 / Si) ,测量了它们的光伏谱 ,分析表明它们存在着异质结 .当样品吸附还原性气体 (H2 、CO、液化石油气 )时 ,光电压有明显变化 ,因此可做为一种新的敏感元件 .分析了它们的吸附机理 。
沈顗华朱文章吴正云吴孙桃张声豪陈朝颜永美周海文陈议明刘士毅
关键词:光伏效应超晶格多孔硅应变超晶格电学性质
光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁被引量:8
1992年
采用电容耦合法,在18—300K温度范围内测量了AlAs/GaAs超晶格的光伏谱.在100K以下,光伏曲线反映了台阶式二维状态密度分布,可观测到6个信号峰.采用Kronig-Penney模型计算势阱中导带和价带子带的位置和带宽,共有3个导带子带,6个重空穴子带和3个轻空穴子带.根据宇称守恒确定光跃迁选择定则,对6个峰进行指认.实验结果与理论计算的结果基本相符合.
朱文章陈朝刘士毅江德生庄蔚华
关键词:超晶格子带光跃迁
P-AlGaAs/n-GaAs异质结载流子输运机理
1992年
在20~300K的温度内测量了P-AlGaAs/n-GaAs异质结伏安特性和光伏谱随温度的变化,认为在正偏压下,通过p-n结的载流子输运过程有隧穿复合和扩散两个机构参与,对实验数据进行拟合,计算一些重要参数。
朱文章刘士毅
关键词:异质结载流子输运砷化镓
用光伏法及红外吸收法分析硅单晶质量
1992年
本文用光伏法测定样品的少子扩散长度,论证放宽直线拟合的T.S.Moss条件,用红外吸收法测定样品的氧、碳含量并样品的品质,实验发现,硅单晶的红外吸收光谱(a-λ^(-1))的基线愈高,则其中的少子扩散长度愈短;反之亦然,还探讨了基线的物理性质。
吴建国刘士毅
关键词:硅单晶光伏红外吸收
Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格光伏特性研究被引量:1
1992年
采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释.
朱文章刘士毅
关键词:光伏效应应变层超晶格
共2页<12>
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