刘文莉
- 作品数：16 被引量：52H指数：4
- 供职机构：中国兵器科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究被引量：3
- 2005年
- 在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm。
- 李林钟景昌张永明赵英杰王勇刘文莉郝永琴苏伟晏长岭
- TSSG法生长KYb(WO_4)_2晶体及其振动光谱研究
- 2006年
- 采用TSSG法生长出尺寸为30mm×15mm×10mm的KYb（WO4）2晶体，XRD分析表明为低温相的KY-bW晶体，计算其晶格常数为a=10．61A°，b=10．295A°，c=7．495，β=130．65°。测得样品的红外和拉曼光谱，结果表明KYbW晶体有较强的拉曼活性，钨氧双桥键WOOW和单桥键WOW基团的振动在200—1000cm^-1范围内，对峰值与相应的振动进行了指认。
- 刘文莉张礼杰王宇明李建立雷鸣曾繁明刘景和
- 关键词：振动光谱
- 垂直腔面发射激光器中的新结构研究被引量：4
- 2007年
- 通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍。
- 郝永芹刘文莉钟景昌张永明冯源赵英杰
- 关键词：光学半导体激光器氧化物限制垂直腔面发射激光器
- Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体生长及开裂研究被引量：4
- 2006年
- 本文采用提拉法生长了Cr，Yb，Ho：YAGG可调谐激光晶体，并从理论上讨论了热应力、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响，最后给出了掺铬、镱和钬钇铝镓石榴石激光晶体生长的最佳工艺条件：温度梯度为0．5℃／mm，提拉速度1-2mm／h，晶体转速20-40r／min，冷却速率不超过20℃／h。
- 刘文莉王成伟孙晶张亮刘景和
- 关键词：可调谐激光晶体
- 稀土掺杂钨酸钆钾激光晶体生长被引量：2
- 2005年
- 以K_2W_2O_7为助溶剂,在钨酸钆钾[KGd(WO_4)_2,KGW]晶体中分别掺入稀土元素离子Nd^(3+),Yb^(3+),Er^(3+)和Er^(3+)+Yb^(3+),用顶部籽晶提拉法分别生长出Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种激光晶体。获得最佳的生长工艺参数是:转速为10~15r/min,拉速为1~2mm/d,降温速率为0.05~0.1℃/h,生长周期为10~15d。经X射线分析确定4种晶体均为β相。利用热重差热分析确定了晶体的熔点和相转变温度,结果表明:Nd∶KGW,Yb∶KGW,Er∶KGW和Er∶Yb∶KGW4种晶体的熔点分别为1085,1086,1080℃和1079℃;相转变温度分别为1023,1021,1021℃和1024℃。分析了晶体产生缺陷的原因。
- 王宇明刘文莉张礼杰李建利万玉春雷鸣刘景和
- 关键词：稀土离子
- Er∶Yb∶KGW激光晶体生长及缺陷研究被引量：3
- 2006年
- 采用顶部籽晶(TSSG)法生长Er:Yb:KGW晶体.通过研究助熔剂的种类、组成与溶质的比例关系对晶体生长的影响,设计了合理的工艺条件:转速:30～40 r·min-1;拉速:1～2 mm·d-1;降温生长速率:0.05 ℃·h-1;降温速率:15 ℃·h-1;生长周期:15～20 d.通过对晶体缺陷的观察分析认为,晶体裂缝及包裹物等缺陷与生长工艺条件密切相关,应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动,保持晶体的稳态生长.
- 张莹王成伟刘文莉张礼杰李建利刘景和
- 关键词：晶体生长稀土
- GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究被引量：3
- 2005年
- 分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。
- 刘文莉李林钟景昌王晓华刘国军
- 新型垂直腔面发射半导体激光器阵列被引量：8
- 2006年
- 设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵列中单元器件间的隔离,另一方面通过再次的两次较深度的可以达到有源区上表面的质子注入形成高电阻区域实现对单元器件注入电流的限制。由瞬态热传导方程对阵列中单元器件间的热相互作用进行了理论分析。采用四次质子注入工艺实现了2×2、3×3简单的二维GaAs/A lGaAs量子阱VCSEL阵列,并对器件的激射近场、光谱特性及功率等进行了测量。
- 刘文莉钟景昌晏长岭
- 关键词：垂直腔面发射激光器质子注入
- 垂直腔面发射激光器材料的X射线双晶衍射分析
- 2004年
- 利用X射线双晶衍射方法 ,测定了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)材料的衍射回摆曲线 ,除了主衍射峰 (“0”级衍射峰外 ) ,还观察到一级和二级卫星峰。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中衍射峰的劈裂现象进行了理论分析。“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近 ,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离 ,计算出了VCSEL材料的周期D及Al含量x值。
- 刘文莉李林钟景昌张永明赵英杰郝永琴王勇苏伟晏长岭
- 关键词：X射线双晶衍射
- Tm:Yb:KY(WO_4)_2晶体蓝光上转换被引量：10
- 2007年
- 利用顶部籽晶提拉(TSSG)法生长了Yb3+,Tm3+共掺KY(WO4)2晶体,在室温下测量了290～1200nm内晶体的吸收光谱。根据上转换模型研究了晶体中Yb3+向Tm3+进行能量传递的机制并对晶体中跃迁能级进行了指认,建立了简单的速率方程。计算得出Yb3+离子向Tm3+离子的能量传递效率接近于1。在974nm激光二极管抽运下观察到Tm3+离子的波长为476nm蓝色上转换发光。利用Fadenbrug-luechtbauer方法计算了1G4到3H6能级跃迁的发射截面积,其最大发射截面积约为1.51×10-20cm2。
- 毛露路林海张莹王成伟刘文莉朱忠丽刘景和
