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史智华

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇INGAAS...
  • 1篇异质结
  • 1篇微位移
  • 1篇光纤
  • 1篇光纤传感
  • 1篇光纤传感器
  • 1篇发光
  • 1篇发光管
  • 1篇非接触
  • 1篇非接触式
  • 1篇辐照
  • 1篇感器
  • 1篇Γ辐照
  • 1篇DH
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INP
  • 1篇LED
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 3篇中国科学院上...
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 3篇史智华
  • 1篇郭康瑾
  • 1篇张桂成
  • 1篇徐少华
  • 1篇朱黎明
  • 1篇陈瑞璋
  • 1篇李胜华
  • 1篇薛静琪
  • 1篇朱建中

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇电子科学学刊

年份

  • 1篇1991
  • 2篇1990
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
非接触式微位移光纤传感器被引量:2
1990年
本文描述了用于装配电子枪时控制阴极与第一栅极间距的光纤传感器的结构及其测量系统.传感器的测量范围为10~160μm,精度可达3.8%.讨论了影响传感器特性的若干因素,如制作工艺、表面粗糙度、倾斜度、环境温度和LED的光谱特性.
朱建中薛静琪俞国林史智华
关键词:光纤传感器
集成透镜InGaAsP/InP DH LED特性研究
1991年
本文设计与制作了集成球透镜1.3μm InGaAsP/InP DH LED,并对集成透镜LED的频响特性,光强远场分布以及与光纤的耦合特性等方面进行了测试分析.研究结果表明,球透镜LED与标准光纤的耦合效率较之乎面型LED有显著提高,达7.5%,器件截止频率也比平面型LED提高的20%,最高截止带宽达425MHz.
肖德元陈瑞璋朱黎明史智华徐少华陈启玙郭康瑾
关键词:INGAASPINP
γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
1990年
本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度(τ/τ0)讨论了有关结果。
张桂成史智华李胜华
关键词:异质结发光管INGAAS/INP
共1页<1>
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