吴国增
- 作品数：28 被引量：32H指数：4
- 供职机构：聊城大学东昌学院更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 欧姆接触电阻率测量方法的比较研究被引量：6
- 2006年
- 根据材料的厚度对金属-半导体间的欧姆接触电阻率的测量方法做了分类,并分别介绍了各种方法的原理。分析了它们的误差形成原因以及对结果的影响,比较了它们的优劣,探讨了在不同情况下最合适的办法。
- 赵安邦谭开洲吴国增
- 关键词：金属-半导体欧姆接触接触电阻率
- VHDL密码控制系统的设计和仿真
- 2008年
- 阐述密码控制设计的基本原理。介绍了VHDL语言的特点以及基本的语法结构。在MAX+plusⅡ开发软件环境下,利用VHDL硬件描述语言实现密码控制系统设计,并对其系统各个模块进行仿真分析。
- 米保良吴国增
- 关键词：VHDL硬件电路
- 一种宽带低噪声放大器的设计被引量：5
- 2010年
- 随着无线通信的迅猛发展,提高了对射频技术的要求。本文就射频前端的低噪声放大器设计进行研究和分析,并且进行了流片生产和测试。首先进行了基础理路的研究分析,通过仿真电路满足性能,最后再通过流片测试得到结论。本文中对其带宽以及噪声系数进行了测试并且与预期效果很接近。通过本文设计得到了带宽为近1.5GHz,其增益的大小为23.2dB。
- 吴国增
- 关键词：低噪声放大器增益
- V-BLAST系统检测技术研究
- 2007年
- 介绍了MIMO系统中的空间复用V-BLAST结构,并介绍了其空时分组码的生成,以及几种空时检测算法,并对检测算法的性能进行了分析比较。通过比较,得到性能与复杂度折中的算法。
- 杜宁吴国增
- 关键词：迫零
- 基于一个可变电阻多功能混沌电路研究
- 2014年
- 分析了一个新的复杂的四维混沌系统的动力学特性,此系统每个动力学方程中包含三个二次交叉乘积项,通过改变一个参数系统可以产生一涡旋、二涡旋、三涡旋和四涡旋吸引子.最后采用MUTISIM11设计了一个模拟电路来实现这个新的基于一个可变电阻多功能四维混沌系统.
- 米保良吴国增
- 关键词：可变电阻混沌电路吸引子
- 一个混沌系统仿真研究及其电路分析被引量：1
- 2010年
- 分析了Liu混沌系统动力学特性,首先对系统的数值特性进行了分析和研究。通过数值分析可以得到系统是混沌的。给出了MultiSim10.1软件实验系统的拓扑结构,并进行了硬件电路的设计和电路仿真研究。电脑仿真技术为研究非线性系统提供了可行的方案,此实验系统具有良好的实验效果,与传统的自治混沌系统相比,此系统具有参数调节方便、易实现、可靠性高,实时性好等优点。
- 吴国增段树民
- 关键词：混沌系统自治混沌系统
- 一款太阳能路灯控制器的设计被引量：2
- 2014年
- 为了积极响应国家节能减排、发展低碳经济的号召,对太阳能电池、蓄电池和白光LED的工作原理及特性进行了分析研究,并使用全自动充放电控制器,实现了对太阳能路灯的光控、定时控制和人动控制等多种功能。
- 段树民吴国增
- 关键词：太阳能路灯控制器
- 双极晶体管关键参数的研究被引量：1
- 2008年
- 本文基于双极晶体管的工艺,就如何对电流增益和特征频率两个参数进行优化研究。首先对其进行了器件工艺模拟分析优化,得到模拟特征频率在10GHz,电流增益为160,而后进行了流片,通过测试得到特征频率为9.5GHz,电流增益在160以上,最后进行了测试结果和模拟结果的比较分析。
- 赵桂清吴国增
- 关键词：双极晶体管低噪声放大器增益
- SiGe HBT器件的研究设计被引量：1
- 2010年
- 研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1500,最大达到3000,Vceo为5V,厄利电压VA大于10V,βVA乘积达到15000以上。这种器件对多晶Si发射极As杂质浓度分布十分敏感。
- 米保良吴国增
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管多晶发射极双层多晶硅
- 一种四螺旋混沌系统仿真研究被引量：1
- 2010年
- 为了改善Lü系统的混沌特性,通过在混沌Lü系统上添加一维线性状态反馈控制器,构建了一个新的四维连续自治混沌系统,得到了奇异的四螺旋鲁棒混沌吸引子。利用相轨图、Lyapunov指数谱等数值方法,其最大Lyapunov指数为正值且几乎恒定不变,系统具有很好的鲁棒性.随控制参数变化,系统能够从四螺旋混沌吸引子演变成双螺旋混沌吸引子。通过在混沌Lü系统电路上外加一个简单的线性积分电路实现了新混沌系统的实验电路,实验仿真与数值方法所得结果有着很好的一致性。
- 吴国增
- 关键词：吸引子混沌
