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姚峰英

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇模版
  • 5篇掩模
  • 5篇掩模版
  • 4篇电路
  • 4篇电路制造
  • 4篇集成电路
  • 4篇集成电路制造
  • 3篇集成电路制造...
  • 2篇调整方法
  • 2篇入射
  • 2篇入射光
  • 2篇凸起
  • 2篇线条
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻机
  • 2篇光面
  • 2篇硅片
  • 2篇变速运动
  • 2篇长程
  • 2篇衬底

机构

  • 11篇上海集成电路...
  • 7篇上海华虹(集...

作者

  • 11篇姚峰英
  • 2篇李佳青
  • 2篇蒋宾
  • 2篇康晓旭

传媒

  • 1篇集成电路应用

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2010
  • 2篇2007
  • 3篇2006
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铌在单晶硅扩散中的行为实验分析
2022年
阐述在某些新型器件的制备过程中需要使用金属铌作为特殊材料进行微细加工工艺,因此需要评估如何控制研发线上的铌浓度,实验估计铌从单晶硅片背面扩散到正面的时间,以及扩散系数。
姚峰英吴佳宏胡睿
关键词：集成电路制造微细加工工艺
一种集成电路观察分析装置
本实用新型属集成电路制造工艺的分析检测技术领域。为了将表面观察和断面分析结合起来，以得到三维的集成电路工艺信息，克服以前的工具只能分离地进行表面观察和断面观察，以及聚焦离子束分析(FIB)速度慢、时间长的缺点，本实用新型...
姚峰英
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光学探测器及其制造方法
本发明提供了一种光学探测器及其制造方法。所述光学探测器包括衬底、微桥、若干介质结构和反射结构。所述反射结构的受光面包括若干第一反射凸起和若干第二反射凸起，所述若干第一反射凸起与所述若干介质结构一一对应排布，至少一个所述第...
康晓旭张南平蒋宾蔡巧明陈武佳姚峰英李佳青
光学探测器及其制造方法
本发明提供了一种光学探测器及其制造方法。所述光学探测器包括衬底、微桥、若干介质结构和反射结构。所述反射结构的受光面包括若干第一反射凸起和若干第二反射凸起，所述若干第一反射凸起与所述若干介质结构一一对应排布，至少一个所述第...
康晓旭张南平蒋宾蔡巧明陈武佳姚峰英李佳青
正四极照明曝光方法及其装置
本发明公开了一种正四极照明的曝光方法，用不变化参数的正四极照明连续扫描两块掩模版，所述两块掩模版的图形分别为图形的纵向线条和横向线条。本发明简化了两次曝光的工作流程，提高两次曝光的效率。
姚峰英
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一种两次曝光用长掩模版
本实用新型涉及一种两次曝光用长掩模版，适当加大长掩模版的宽度使其超过正常宽度，从而使两次曝光的图形区域位于中心较为平坦的区域内，以减少聚焦弯曲值并使其到达所允许的范围；掩模版的尺寸范围为：宽度方向200mm－350mm，...
姚峰英
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对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法
本发明属于集成电路制造工艺的光刻曝光中的光刻机技术，具体涉及一种对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法。使用长掩模版可以提高两次曝光的效率，但加长的掩模版存在重力下垂导致的聚焦面不一致。使用本发明的对长掩模版曝光聚焦平面校...
姚峰英
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对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法
本发明属于集成电路制造工艺的光刻曝光中的光刻机技术，具体涉及一种对长掩模版曝光聚焦平面校正的调整方法。使用长掩模版可以提高两次曝光的效率，但加长的掩模版存在重力下垂导致的聚焦面不一致。使用本发明的对长掩模版曝光聚焦平面校...
姚峰英
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使用两块掩模版实现连续扫描对两图形曝光的方法
一种使用两块掩模版实现连续扫描对两图形曝光的方法，固定具有第一曝光图形的第一掩模版，调节具有第二曝光图形的第二掩模版，使两掩模版连接成一体，两块掩模版作为整体做长程扫描运动，完成第一曝光图形的曝光后，在扫描第一曝光图形与...
姚峰英
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使用两块掩模版实现连续扫描对两图形曝光的方法
一种使用两块掩模版实现连续扫描对两图形曝光的方法，固定具有第一曝光图形的第一掩模版，调节具有第二曝光图形的第二掩模版，使两掩模版连接成一体，两块掩模版作为整体做长程扫描运动，完成第一曝光图形的曝光后，在扫描第一曝光图形与...
姚峰英
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