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高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法: 本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制—...; 杜彦浩吴洁君张国义于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏; 文献传递

激光剥离转移衬底的薄膜GaN基LED器件特性分析被引量：2: 2008年; 制备了基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED)以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反向漏电流明显增加,其等效并联电阻下降了近两个数量级。通过对变温I-V曲线的分析,反向偏压下隧穿漏电机制的主导地位被发现并证实,而激光剥离前后样品腐蚀后的AFM照片显示缺陷密度没有明显改变。隧穿机制的增加是由于激光剥离过程激发了更多缺陷的隧穿活性。然而,蓝宝石衬底LED以及激光剥离薄膜Cu衬底LED的相似的理想因子和等效串联电阻说明激光剥离过程并未对器件的正向电学特性造成大的伤害。因此,高质量、高功率的激光剥离LED器件是可以期待的。对L-I曲线的分析显示,激光剥离过程引入了更多的非辐射复合中心,但激光剥离薄膜Cu衬底LED器件在大电流注入下仍然有着超出常规器件的表现。在300mA注入电流内,激光剥离薄膜Cu衬底LED展示的最大光功率是蓝宝石衬底GaN基LED的1.8倍,饱和电流超过2.5倍。这些结果显示,激光剥离Cu衬底LED仍然是高功率高亮LED的首选方案。; 孙永健陈志忠齐胜利于彤军康香宁刘鹏张国义朱广敏潘尧波陈诚李仕涛颜建峰郝茂盛; 关键词：氮化镓发光二极管激光剥离漏电流

高功率GaN基LED器件的研究现状与发展: ＜正＞1引言自从1962年美国通用电气公司的Holonyak博士发明了世界上第一支发光二极管（LED）以来,使LED发出全部颜色可见光的努力就没有停止过。AlGaInP材料制成的LED可以覆盖从红光（650nm）到黄光（...; 孙永健张国义陈志忠于彤军康香宁; 文献传递

MOCVD生长GaN材料衬底的进展: 氮化物-Ⅲ族半导体,由于其特有的带隙范围和优良的光电特性,该材料在紫外、可见光波段发光二极管(LED),蓝、绿光激光器(LD),高频、大功率电子器件、UV-探测器等光电子器件有着广泛的应用前景,因此也成为宽禁带半导体材料...; 张国义付星星孙永健贾传宇童玉珍吴洁君陈志忠

高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法: 本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制—...; 杜彦浩吴洁君张国义于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏

一种薄膜型LED制备方法: 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部...; 陈志忠齐胜利孙永健田朋飞康香宁秦志新于彤军张国义; 文献传递

一种用于制备图形衬底的一体化湿法腐蚀设备: 一种用于制备图形衬底的一体化湿法腐蚀设备，该设备包括：控制单元；图形衬底制备单元，图形衬底制备单元主要分为：高、低温酸腐模组，图形掩膜制备模组和清洗模组。本发明引入了进行了特殊设计的BOE腐蚀槽，首先从功能上实现了图形掩...; 孙永健杨海艳; 文献传递

GaN同质外延和垂直结构LED: 对于大功率LED器件,存在发光效率随注入电流增加而降低；传统平面电极侧向电流结构的GaN基LED器件由于其较差的散热性能和电流拥挤等关键问题使其在大功率LED器件的发展中遇到了瓶颈.作为GaN基LED外延片外延生长所使用...; 张国义孙永健贾传宇陆羽刘鹏杨志坚童玉珍

一种薄膜型LED制备方法: 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部...; 陈志忠齐胜利孙永健田朋飞康香宁秦志新于彤军张国义; 文献传递

氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法: 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...; 齐胜利陈志忠孙永健张国义郝茂盛潘尧波邓俊静颜建锋朱广敏陈诚李士涛

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孙永健