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张玉婷

作品数:6 被引量:21H指数:3
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划广西高校优秀人才计划项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇蓝宝
  • 3篇蓝宝石
  • 3篇缓冲层
  • 3篇CEO
  • 3篇表面形貌
  • 2篇退火
  • 2篇TI
  • 2篇超导
  • 2篇超导特性
  • 1篇退火研究
  • 1篇高温退火
  • 1篇AFM
  • 1篇MGO

机构

  • 6篇南开大学
  • 3篇广西师范学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 6篇张玉婷
  • 5篇谢清连
  • 5篇方兰
  • 5篇赵新杰
  • 5篇阎少林
  • 4篇季鲁
  • 3篇黄国华
  • 3篇左涛
  • 2篇岳宏卫
  • 2篇周铁戈
  • 2篇游石头
  • 2篇李加蕾
  • 2篇何明
  • 2篇张旭
  • 1篇李建映
  • 1篇王争
  • 1篇游峰
  • 1篇潘吟松

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理学报
  • 1篇低温与超导

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
高质量Tl-2212超导薄膜制备的条件探索——CeO<,2>缓冲层的退火研究
高温超导薄膜材料是超导电子学的应用基础。目前,铊系和钇系HTS薄膜受到人们更多的关注。T1-2212超导薄膜的临界温度和临界电流密度高、微波表面电阻低,在空气中抗潮湿能力强、性能稳定,因此,高质量的T1-2212超导薄膜...
张玉婷
文献传递
高温退火对蓝宝石基片的表面形貌和对CeO_2缓冲层以及Tl-2212超导薄膜生长的影响被引量:13
2008年
研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长,表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5MA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约为390μΩ.
谢清连阎少林赵新杰方兰季鲁张玉婷游石头李加蕾张旭周铁戈左涛岳宏卫
关键词:TI蓝宝石缓冲层
热处理蓝宝石基片对Tl-2212超导薄膜的影响被引量:1
2010年
本文研究了蓝宝石基片的热处理对Tl-2212薄膜的结晶质量、表面形貌及其超导特性的影响。SEM和XRD研究表明,在经过最佳条件(1000℃×20 h)退火后的基片上,可以制作出具有致密的晶体结构、高度c轴取向的外延Tl-2212超导薄膜,其薄膜具有优良的电学性能。
谢清连阎少林黄国华张玉婷赵新杰方兰
关键词:蓝宝石
不同厚度Tl-2212薄膜的表面形貌及超导特性研究被引量:2
2012年
采用直流磁控溅射法和后退火技术在蓝宝石基片上制备了Tl-2212超导薄膜,考察了Tl-2212薄膜的厚度对其形貌和超导特性的影响。实验结果表明,随着超导薄膜厚度增加,其表面形貌由致密平整的结构演化为片状晶体结构,临界转变温度Tc和临界电流密度Jc先增大后减小,微波表面电阻Rs先减小后增大。在退火的CeO2缓冲层上所制备的无裂纹薄膜的最大厚度达到600nm,并仍然具有良好的超导性能。
谢清连季鲁潘吟松张玉婷黄国华赵新杰方兰阎少林
关键词:超导特性
CeO_2缓冲层热处理对Tl-2212薄膜超导特性的影响被引量:8
2009年
本文采用原子力显微镜(AFM)和XRD研究了生长在蓝宝石(11-02)基片上的CeO2缓冲层在不同的退火温度和退火时间下表面形貌和相结构的变化,以及对Tl-2212薄膜超导特性的影响。AFM和XRD研究表明,CeO2薄膜在流动氧环境中退火,表面形貌发生显著的变化;CeO2薄膜在最佳条件下退火后,可获得原子级光滑表面,结晶质量明显提高。实验结果表明,缓冲层的结晶质量和表面粗糙度与Tl-2212薄膜的超导特性密切相关。在经过最佳条件退火后的CeO2缓冲层上制备了厚度为500nm无裂纹的Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)达到107K,液氮温度下临界电流密度(Jc)为3.9MA/cm2(77K,0T),微波表面电阻(Rs)约为281μΩ(77K,10GHz)。
谢清连游峰黄国华李建映左涛何明季鲁张玉婷赵新杰方兰阎少林
关键词:缓冲层AFM
热处理对MgO基片的表面形貌以及对CeO_2和Tl-2212薄膜生长的影响被引量:6
2008年
研究了MgO基片在高温退火时表面形貌和表面结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响。原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1100℃温度下退火,MgO的表面首先由未退火时的皱褶形貌,演化为光滑表面,随着退火时间的延长,表面形貌最终演化为具有光滑基底的独立生长峰结构。XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高MgO基片表面结晶的完整性。在1100℃温度下热处理8小时的MgO基片上可以生长出具有高度c轴取向的CeO2(001)缓冲层。然后在此缓冲层上制备了厚度为500nm的外延Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)达到108.6K,液氮温度下临界电流密度(Jc)为2.8mA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约为360.9μΩ。
谢清连阎少林方兰赵新杰游石头张旭左涛周铁戈季鲁何明岳宏卫王争李加蕾张玉婷
关键词:MGO缓冲层
共1页<1>
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