徐开松
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 衬底对直流磁控溅射制备TiO_2薄膜结构和形貌的影响被引量：2
- 2012年
- 在气压为1Pa和2Pa的情况下,文章采用直流磁控溅射法分别在Si(100)、Al2O3陶瓷、普通载玻片3种衬底上生长TiO2薄膜;利用原子力显微镜对TiO2薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。并研究表明,在Si(100)衬底上生长的TiO2薄膜,气压为2Pa时比1Pa时表面粗糙度要大;在相同溅射气压下,Si(100)衬底上得到的TiO2薄膜质量明显优于Al2O3陶瓷和普通载玻片衬底上的。
- 徐开松何晓雄潘训刚
- 关键词：TIO2薄膜磁控溅射表面形貌
- 片式电阻端电极Sn/Ni/Ag/Al2O3膜系膜基结合力研究
- 电子信息技术的高速发展对元件技术不断提出新的要求,片式电阻器目前广泛应用并大量取代传统电阻。制作金属薄膜片式电阻的重要工序之一是端电极,通常其底层电极为银或Ag—Pd材料,中间电极层为Ni,外部电极层为Sn。制备电极的通...
- 徐开松
- 关键词：磁控溅射表面形貌
- 文献传递
- 论SiC单晶生长及外延技术的发展被引量：1
- 2009年
- SiC材料的质量对于SiC器件的制备和性能具有非常重要的意义,高质量的SiC单晶是制备优良功率器件的基础本文在此背景下综述了国际上碳化硅单晶生长以及同质外延技术发展的历史与现状。介绍了温度场以及工艺对于单晶材料质量的影响。并对制备4H-或6H-SiC同质外延薄膜的机理,方法和特性做了系统的理论分析。
- 姚远周亮徐开松
- 关键词：宽禁带半导体碳化硅单晶生长
