徐静芳
- 作品数：34 被引量：72H指数：5
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术医药卫生更多>>
- FEA实验数据进行参数提取的线性回归技术
- 1994年
- 本文讨论了对场发射阵列（ＦＥＡ）的实验数据利用线性回归的技术得到表征ＦＥＡ器件特性的几个关键多数的方法。并将这种方法应用于我们自己的ＦＥＡ器件样品。根据实验数据得到了器件的关键参数并证实了ＦＥＡ对特性满足ＦｏｗｌｅｒＮｏｅｄｈｅｉｍ方程。文章还对非线性因素对参数估计所带来的偏差问题进行了讨论。
- 刘新福徐静芳李琼宋海波袁美英张段吴俊雷柳襄怀
- 场发射阵列（FEA）的稳定性（S）和可靠性（R）的研究被引量：1
- 1994年
- ＦＥＡ器件的性能由于半导体工艺水平和微机械加工技术的发展有了很大地提高。而其稳定和可靠性的研究是走向实用的必经过程。本文分析了温度、电压等因素对ＦＥＡ器件稳定和可靠性的影响。并研究了尖端发射表面功函数Φ、尖端发射面积Ｓ和尖端表面场强Ｅ与器件稳定性和可靠性的关系。
- 宋海波李琼刘新福袁美英徐静芳张段吴骏雷柳襄怀
- 关键词：稳定性可靠性场发射阵列
- 界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响被引量：4
- 1999年
- 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳
- 关键词：非晶金刚石薄膜
- 单片Si-FED的结构和设计被引量：1
- 2001年
- 根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。
- 范忠李琼徐静芳茅东升
- 关键词：场发射显示器干法刻蚀离子注入硅
- 类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制被引量：11
- 2002年
- 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。
- 冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤
- 关键词：类金刚石薄膜场发射显示器
- 离子束增强沉积碳膜及其在抑制电子发射中的应用被引量：5
- 2004年
- 栅电子发射是影响行波管工作性能和制约其使用寿命的主要因素。国内研制的导弹雷达制导用行波管因存在严重的栅电子发射现象,寿命只有70h,不能付诸军事应用。采用离子束增强沉积的方法在栅网表面沉积一层碳膜后,可有效地抑制栅电子发射,使行波管寿命超过了1000h,在军事和航天领域获得了成功应用。报导了低能离子束增强沉积类金刚石薄膜和高能离子束增强沉积类石墨碳膜的制备技术、结构性能及其在抑制栅电子发射中的应用和机理研究的结果。
- 柳襄怀朱宏朱宏任琮欣郑志宏徐静芳
- 关键词：离子束增强沉积碳膜
- 场发射阵列的热电模型
- 1997年
- 场发射阵列的主要失效机制是真空电弧。本文先概括了真空电弧的现象，然后描述了一个放电损伤的热电模型，说明了造成损伤的材料量、能量、功率、时间范围和能量来源。根据这个模型，提出了对抗真空电弧可能采取的各种技术措施。
- 李琼陈春辉刘新福范忠丁艳芳徐静芳
- 关键词：场发射阵列真空电弧场致发射阴极
- 中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术
- 1991年
- 本文描述了一种新奇的SOI技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了SOI结构.在这个结构上我们制作了n沟MOSFET.本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的MOS器件的性能.
- 李琼徐静芳林成鲁
- 关键词：SOI技术MOS器件激光退火SOI结构
- 金刚石粉末淀积层的场发射性能研究
- 研究了金刚石粉末淀积层的场发射性能。采用三种方法在钨衬底和硅衬底上淀积金刚石粉末（Powder），并分别做了Ⅰ-Ⅴ测试、发光测试、稳定性测试、寿命测试，对其发射做了一定的解释。
- 周江云李琼范忠诸玉坤徐静芳
- 关键词：场发射
- 外加直流电场对PdSnOx MIS型氧探测器氧吸附行为影响的研究
- 1992年
- 研制成了一种新型的Pd-SnOxMIS结构型氧探测器.这种探测器能在室温下探测小于0.1乇的氧分压.本文简扼报告了这种器件的结构、制造工艺和氧吸附与消吸附特性,着重阐述外加直流偏压对器件氧吸附行为的影响.实验结果表明:在实验氧分压范围内,正向直流偏压会抑制器件的氧吸附响应,负向直流偏压会增加器件氧吸附响应.文中还对这种电吸附行为进行了讨论.
- 徐静芳
- 关键词：氧吸附直流电场
