李国花
- 作品数：20 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会创新基金博士科研启动基金更多>>
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- 注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能(英文)
- 2007年
- 本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显。总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好。由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要。
- 王宁娟刘忠立李宁张国强于芳郑中山李国花
- 关键词：SOIMOSFET离子注入
- 辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应被引量：1
- 1999年
- 本文研究了制作 Ｊ Ｆ Ｅ Ｔ／ Ｓ Ｏ Ｓ（蓝宝石上外延硅结型场效应晶体管）的方法，采用扩散形成栅极 ｐ＋ ｎ 浅结以及复合注入的方法形成导电沟道，在不同的工艺条件下可得到增强型和耗尽型器件．通过 Ｃｏ６０源的 γ射线辐射实验发现这种器件具有良好的抗总剂量辐射性能，在 ５ Ｍ ｒａｄ（ Ｓｉ）剂量时阈值电压的变化小于 ０１ Ｖ。
- 聂纪平刘忠立和致经于芳李国花张永刚
- 关键词：结型场效应晶体管
- 全耗尽S0IMOSFET器件总剂量抗辐射的研究
- 本文主要研究了全耗尽SOIMOSFET的总剂量的抗辐射特性,特别是不同的偏置条件下器件对总剂量的抗辐射的能力。着重分析了埋氧层以及在埋氧层/顶硅界面处的电荷以及伴随的电场的产生与分布是如何对全耗尽器件产生影响的。通过器件...
- 王宁娟刘忠立李宁于芳李国花
- 关键词：总剂量辐射电学性能
- 文献传递
- 氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响
- 陈克铭李国花陈朗星
- 关键词：氮化硅陶瓷离子交换膜
- 染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性被引量：1
- 1994年
- 用氯氟酸硝酸水溶液对硅单晶抛光片进行染色腐蚀，制备了多孔硅．本文研究染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性，特别是激发光强度和波长与发射光强度与波长的关系，多孔硅的稳定性和响应特性．
- 夏永伟李国花滕学公樊志军
- 关键词：多孔硅光致发光可见光
- 半导体光发射与探测耦合组件
- 本实用新型公开了一种用多薄层晶体生长工艺制造的，具有垂直集成与光路自对准结构的半导体光发射与探测耦合组件。它由半导体光探测器件，透明绝缘晶体薄层以及半导体光发射器件叠加构成。它能简化工艺，降低成本，并有提高可靠性与灵敏度...
- 夏永伟滕学公李国花樊志军
- 文献传递
- 进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究被引量：1
- 1994年
- 本文提出了关系到ＩＳＦＥＴ不稳定性的三个原因：（一）Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼，容易增加或失掉电子．这是氢离子敏ＦＥＴ传感器长期不稳定性的原因．（二）氢离子敏ＦＥＴ传感器的稳定性，随着ＩＳＦＥＴ的制作过程中沉淀条件而变化，这也是ＩＳＦＥＴ不稳定性的另一原因．（三）缓冲溶液的ｐＨ随着测量过程和时间而变化，这也助长了氢离子敏ＦＥＴ传感器的不稳定性，但不是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ本身的不稳定性原因．我。们利用了再调整和控制羟氨基团比率的技术来提高ＩＳＦＥＴ的稳定性．这种改进稳定特性的技术在实践中是有效的．
- 陈克铭李国花陈朗星朱燕
- 关键词：场效应晶体管稳定性氢离子
- 一种硅的光探测器件
- 本实用新型公开了一种紫外增强的p-n结硅光生伏特探测器的结构。它在探测器探光面的金属电极之间或(和)其四周的硅表面上布设一层多孔硅的荧光膜。该结构具有工艺过程简单易控、成本低廉、并能与现有集成电路工艺相容等诸多优点。
- 夏永伟李国花滕学公樊志军
- 文献传递
- SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响被引量：1
- 2007年
- 在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为375nm的SIMOX SOI材料来说,当注氮剂量分别为2×1015cm-2和3×1015cm-2时,并未发现埋氧中固定正电荷密度的增加.所有SIMOX注氮后的退火条件是完全相同的.通过SIMS分析,将薄埋氧中固定正电荷密度的增加归结为注氮后的退火所引起的氮在埋氧与Si界面附近的积累.同时还发现,未注氮埋氧中的固定正电荷密度是非常小的.这意味着通常情况下在热生长SiO2膜中大量存在的氧化物电荷,其数量在SIMOX埋氧中则要相对少得多.
- 郑中山张恩霞刘忠立张正选李宁李国花
- 关键词：SIMOX注氮
- 硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化被引量：3
- 1999年
- 采用表沟ｐ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ代替埋沟ｎ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点，因而在深亚微米ＣＭＯＳ工艺中被采纳．但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄栅介质和沟道区内，引起阈值电压不稳...
- 高文钰刘忠立梁秀琴于芳聂纪平李国花
- 关键词：PMOSFET二氧化硅栅介质硼扩散
