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李斌

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海应用物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶体
  • 1篇晶体
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇浮区法
  • 1篇CR

机构

  • 1篇中国科学院上...
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  • 1篇通用电气公司

作者

  • 1篇徐晓东
  • 1篇吴锋
  • 1篇裴广庆
  • 1篇张俊刚
  • 1篇李斌
  • 1篇徐军
  • 1篇邓群
  • 1篇夏长泰
  • 1篇徐悟生
  • 1篇吴永庆

传媒

  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
β-Ga_2O_3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性被引量：1
2007年
利用浮区法生长得到β-Ga2O3:Cr单晶体.在室温下测试了β-Ga2O3:Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱.通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数,得到10Dq/B=23.14,表明Cr3+在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场.β-Ga2O3:Cr单晶体经高温退火后Cr3+的发射明显加强,而绿光的发射减弱.采用420nm波长激发,在691nm可得到强而宽的特征发射,此发射对应于Cr3+的4T2→4A2跃迁.
张俊刚李斌夏长泰徐军邓群徐晓东吴锋徐悟生史宏生裴广庆吴永庆
关键词：浮区法光谱
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