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李晶

作品数：26 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信交通运输工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 9篇电路
  • 6篇芯片
  • 4篇电流
  • 4篇多芯片
  • 4篇瞬态
  • 4篇瞬态电流
  • 4篇静电放电
  • 4篇绝缘体上硅
  • 4篇封装
  • 4篇半导体
  • 4篇ESD防护
  • 4篇不均匀度
  • 3篇电阻
  • 3篇集成电路
  • 3篇存储器
  • 2篇导通
  • 2篇地线
  • 2篇电流测试
  • 2篇电路控制
  • 2篇电路芯片

机构

  • 26篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 26篇李晶
  • 15篇曾传滨
  • 14篇韩郑生
  • 14篇海潮和
  • 13篇李多力
  • 8篇赵发展
  • 6篇罗家俊
  • 3篇蔡小五
  • 2篇王春林
  • 2篇周小茵
  • 2篇赵立新
  • 1篇郭天雷
  • 1篇李晶
  • 1篇王显泰
  • 1篇刘刚

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇数字通信世界

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2012
  • 2篇2010
  • 6篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法
本发明公开了一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法，该方法包括：在封装管壳上制作一电源线环路和一地线环路；在电源线环路与地线环路之间连接一或多个电容和一电阻；将集成电路芯片的一个或多个与芯片内部电源线相连的地方引线到电...
曾传滨海潮和李晶李多力韩郑生
文献传递
一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种SOI电路ESD全局保护结构，包括：一种初级ESD保护结构和一种次级ESD保护结构保护输入端；一种智能电阻ESD保护结构和一种RC电路控制的输出泻流管结构加一种输出ESD保护结构保护输...
曾传滨海潮和李晶李多力韩郑生
文献传递
传输线脉冲发生器电压探测中振荡问题的研究被引量：1
2009年
对传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题进行了研究。通过减小电压探头的寄生电感克服了振铃问题,通过缩短电压探头和待测器件之间的传输段传输线长度降低了探头处实际承受的上冲电压,从而有效地抑制了传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题,提高了测试的准确性,并在国内率先制造出了波形质量达到国际先进水平的传输线脉冲发生器。
曾传滨李晶王显泰海潮和韩郑生
关键词：静电放电振铃电压波形
一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种改善SOI电路ESD防护性能的方法，该方法采用在SOI电路的体区进行ESD注入，改变SOI电路的ESD击穿电压，并促进ESD放电管之间以及ESD放电管内部各栅条之间在ESD电压到来时同...
曾传滨李多力李晶海潮和韩郑生
文献传递
一种ESD防护电阻
本实用新型公开了一种ESD防护电阻，属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔离层提供的电学隔离和热学隔离...
曾传滨李多力海潮和李晶罗家俊韩郑生
文献传递
功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法
本发明公开了一种功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法，测试电路包括：第一电源，用于在接收到第一上电指令后向功率智能开关电路供电；第二电源与第一控制端连接，用于在接收到第二上电指令后向第一控制端提供预设电压，第二...
李晶王春林蔡小五曾传滨
文献传递
PDSOI NMOS/CMOS闩锁特性
2009年
本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响。
曾传滨海潮和李晶李多力韩郑生
关键词：闩锁金属氧化物半导体
用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置
本发明公开了一种用于检测多芯片并联瞬态电流不均匀度的方法及装置，属于功率半导体器件领域。该方法包括：将预先设置的测试电路的预设参数配置为预设的初始值；控制调节预设参数后的测试电路，测得芯片组并联瞬态电流的参考不均匀度；判...
苏洪源赵发展李晶罗家俊瞿磊席茜
文献传递
存储器写禁止时间参数的测试方法
2023年
文章提出了一种利用自动化测试机台进行存储器写禁止时间参数的数值测试方法。通过原理与实例结合的方式,介绍了一种通过测试辅助参数并计算的方式测试写禁止时间具体数值的方法,并有效地对参数进行时间定位,解决了写禁止时间在仿真或实际应用中时间定位不明确的问题。
孙燊马闪闪李晶李晶
关键词：存储器
写禁止时间的获取方法、装置、测试机台及存储介质
本发明公开了写禁止时间的获取方法、装置、测试机台及存储介质，所述方法包括：获取存储器件的地址保持时间以及地址建立时间；基于地址保持时间以及地址建立时间，得到写禁止时间，其中，写禁止时间为禁止向存储器件的地址位进行写入操作...
孙燊马闪闪李晶
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