杜学丽
- 作品数：50 被引量：113H指数：7
- 供职机构：天津理工大学更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术冶金工程化学工程金属学及工艺更多>>
- 一种Bi位掺杂N型Bi<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>热电材料的制备方法
- 本发明公开了一种Bi位掺杂N型Bi<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>热电材料的制备方法，将可溶性铋盐、可溶性硫源和可溶性施主掺杂离子溶于去离子水，混合均匀后倒入衬聚四氟乙烯的水热反应釜中，60-120℃反...
- 杜学丽史荣娜王学伟
- 文献传递
- 粉末注射成形技术研究与产业化
- 曲选辉李峥秦明礼毕景维段柏华方玉诚何新波马远飞汤春峰祈万章胡学晟郭世柏罗铁钢杜学丽李平尹海清
- 粉末注射成形(Powder Injection Molding，简称PIM)是将现代塑料注射成形技术引入粉末冶金领域而形成的一门新型粉末冶金近净形成形技术。其基本工艺过程是：首先将固体粉末与有机粘结剂均匀混练，经制粒后在...
- 关键词：
- Y_2O_3对SPS烧结纳米AlN粉末的影响被引量：4
- 2007年
- 利用低温燃烧法合成出了平均粒度为100 nm的AIN粉末,将合成的粉末采用放电等离子(SPS)技术进行低温强化烧结,研究Y_2O_3对烧结过程以及烧结试样特性的影响。XRD进行物相分析,SEM观察断口形貌,排水法测烧结试样的密度,激光闪光法测烧结试样的热导率。实验表明:采用低温燃烧法合成出的AlN粉末具有非常好的烧结性能,采用SPS烧结技术,40 MPa压力下,在1600℃保温4 min,就能得到非常致密的AlN陶瓷;Y_2O_3对纳米AlN粉末在SPS低温强化烧结过程仍有促进作用,使试样在更低的温度下烧结致密,并且晶粒更细小,从而热导率也较低;加入Y_2O_3的烧结试样晶界强度增加,断口中有较多的穿晶断裂形式,而不加入Y_2O_3的烧结试样主要以沿晶形式断裂。
- 杜学丽秦明礼冯培忠曲选辉
- 关键词：AIN陶瓷氧化钇低温燃烧法放电等离子烧结
- 共沉淀法制备负膨胀系数材料ZrW_2O_8被引量：6
- 2007年
- 以H2WO4和ZrOCl2.8H2O为原料,先采用共沉淀法制备出前驱物,再加热合成出了ZrW2O8粉末.用X射线衍射(XRD)对合成粉末进行物相分析,用扫描电子显微镜(SEM)分析粉末形貌,用差热-热重分析确定合成温度.结果表明:溶液pH值控制在2～3范围内,溶液中Zr4+和WO42-能同时发生沉淀;所得前驱物在1200℃反应1h,所得产物相主要为ZrW2O8,其粒度在100nm左右,且分布均匀.
- 杜学丽曲选辉秦明礼郭瑞松
- 关键词：陶瓷钨酸锆负热膨胀共沉淀各向同性
- AIN陶瓷注射成形与强化烧结技术的研究
- 杜学丽
- 关键词：陶瓷氮化铝注射成形
- 氮化铝粉末特性对氮化铝-氮化硼复合陶瓷结构和性能的影响被引量：4
- 2007年
- 以比表面积为4.26m2/g、氧含量(质量分数,下同)为0.98%和比表面积为17.4m2/g、氧含量为1.69%的2种AlN粉末为原料,用无压烧结工艺制备氮化铝-氮化硼(AlN-15BN,BN为15%)复合陶瓷,研究了AlN粉末对复合陶瓷显微结构和性能的影响。结果表明:AlN粉末对复合陶瓷的致密化过程以及陶瓷的性能有重要影响。由于高比表面积AlN粉末的烧结活性好,AlN-15BN复合陶瓷的烧结致密化温度主要集中在1500～1650℃之间。在1650℃烧结3h后,AlN-15BN复合陶瓷的相对密度可达95.6%,热导率为108.4W/(m.K),硬度HRA为72。继续升高烧结温度,AlN-15BN复合陶瓷的致密度变化不大,热导率升高,硬度下降。在1850℃烧结后,AlN-15BN复合陶瓷的热导率为132.6W/(m.K),Rockwell硬度(HRA)为64.2。低比表面积的AlN粉末所制备的AlN-15BN复合陶瓷的致密化过程主要发生在1650～1800℃间。在1850℃烧结3h,制备出AlN-15BN复合陶瓷的相对密度为86.4%,热导率为104.2W/(m.K),HRA为56.2。
- 秦明礼杜学丽孙伟李帅曲选辉
- 关键词：致密化显微结构
- 纳米AlN粉末的制备与烧结被引量：2
- 2006年
- 利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100nm的AIN陶瓷粉末，比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性。实验表明：以合成的AIN粉末为原料，添加5％（质量比）Y2O3作为烧结助剂，在常压、流动N2气氛下1600℃保温3h。制备出平均晶粒尺寸为4-8μm、密度为3．28g·cm^-3的AIN陶瓷；将同样的粉末不加任何烧结助剂，采用SPS技术在1600℃保温4min，得到密度为3．26g·cm^-3的AIN陶瓷，晶粒度约为1～2μm。
- 杜学丽秦明礼孙伟曲选辉
- 关键词：纳米粉末AIN陶瓷放电等离子烧结
- 一种制备复杂形状和高尺寸精度钨零部件的方法
- 本发明提供了一种制备复杂形状和高尺寸精度钨零部件的方法，属于注射成形技术技术领域。将钨粉末利用高能球磨机球磨2～12小时得到球磨粉末，然后加入由重量百分比为40～70%石蜡、15～35%高密度聚乙烯、10～30%聚丙烯和...
- 曲选辉秦明礼张深根杜学丽李帅
- 文献传递
- 一种具有高热电性能ZnO基热电陶瓷及其制备方法
- 本发明涉及一种首次发现其具有高热电性能的ZnO基热电陶瓷及其制备方法。采用水热合成法或溶液合成法制备形貌规则、粒度均匀的ZnO颗粒粉末(粒径5nm‑1μm)，再以Na<Sub>2</Sub>S、硫代乙酰胺、硫脲等为硫源(...
- 杜学丽郭小慧张广悦
- 文献传递
- MoSi_2发热元件的高温失效行为分析
- 2006年
- 在1700℃空气中对MoSi2发热元件的高温失效行为进行了研究，用XRD和SEM分析了发热元件使用前后的物相构成、组织结构和断口特征。结果表明，在1700℃失效发热元件表面及内部布满大量空隙和裂纹，Mo5Si3含量有所增加，元件表面保护膜呈熔融态，发热体内部有气体产生并形成气泡，气泡破裂后元件表面失去保护膜。断口出现宽度达0．2～0．3mm的裂缝，晶粒从1～2μm长大为7～8μm。因此认为这种发热元件不适合在1700℃以上使用。
- 冯培忠曲选辉杜学丽
- 关键词：二硅化钼发热元件
