杨中月
- 作品数：24 被引量：26H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- DUV投影光刻制作T型栅
- 2009年
- 描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅,突破了采用常规光学光刻时栅长的制作限制。介绍了GaAs器件在栅光刻时遇到的困难,描述了工艺制作过程,并讨论了该工艺技术中每步工艺的思路和采用的工艺原理。通过在6～18GHz GaAsP HEMT功率放大器制作中的应用,提高了器件性能及成品率,并给出了测试结果以及0.18μmT型栅的电镜图片。
- 杨中月
- 关键词：T型栅深紫外分辨率增强技术赝配高电子迁移率晶体管单片微波集成电路
- 一种微波器件测试用压紧装置
- 本实用新型公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本实用新型能...
- 默江辉杨中月李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- 采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅
- 2010年
- 介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。
- 杨中月付兴昌宋洁晶孙希国
- 关键词：移相掩模技术分辨率增强技术
- 毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法
- 本发明公开了一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块，所述在片测试模块包括单片电路钨铜载片、四个第一滤波电容以及四个第二滤波电容；所述...
- 默江辉杨中月李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- 深紫外光刻制作“T”型栅的方法
- 本发明公开了一种深紫外光刻制作“T”型栅的方法，该方法依次为：清洗衬底并进行干燥；涂敷深紫外化学放大光刻胶；采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影，初步形成栅根的光刻胶窗口图形；采用化学缩细溶液，对曝光开出的光刻胶窗口...
- 杨中月
- 文献传递
- 一种微波器件测试用压紧装置
- 本发明公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本发明能够保证微...
- 默江辉杨中月李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武
- 文献传递
- 一种GaN HEMT加速寿命试验方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT加速寿命试验方法，该方法包括：选取多个相同工艺制备的GaN HEMT器件，并将多个所述GaNHEMT器件进行随机分组，形成至少四个寿命试验组；其中，所述寿命试验组包括...
- 潘宏菽宋建博杨中月崔玉兴
- 文献传递
- 半导体工艺线CAM及SPC的应用被引量：2
- 2010年
- 探讨了在多品种小批量半导体工艺生产线上开发应用CAM技术及实现SPC控制的方法。作者及同事开发了适用于所在工艺线特点的CAM软件系统程序——WI系统,用于工艺的指导和记录、生产的安排和监控以及数据的记录和提取。利用SPC方法对由WI提取的数据进行统计分析处理,做出控制图,对各种工艺异常进行分析判断进而做出工艺调整,以实现有效的工艺监控,逐步提高工艺加工能力和稳定性。该生产控制方法的应用为工艺线产品的研制和生产提供了有力保证。
- 李保第刘福庆李彦伟杨中月胡玲崔玉兴付兴昌
- 关键词：控制图
- GaAs平面掺杂势垒二极管
- 2017年
- 二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法对其进行外延生长。对PDB二极管的物理模型进行了理论分析。通过模拟计算和实验分析了本征层厚度和p层的面电荷密度对PDB二极管I-V特性的影响。通过实验设计优化了材料结构参数,测试了其I-V特性,使PDB二极管的开启电压降低到了0.06 V,将此样品应用到定向检波器中测得检波灵敏度为20~25 mV/mW。
- 张宇车相辉于浩宁吉丰杨中月杨实陈宏泰
- 关键词：开启电压I-V特性
- 纳电子器件谐振隧道二极管的研制被引量：3
- 2002年
- 采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6
- 梁惠来赵振波郭维廉张世林牛萍娟杨中月郝景臣张豫黔王文君魏碧华周均铭王文新
- 关键词：纳米电子器件砷化镓
