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杨志民: 作品数：151 被引量：207H指数：8; 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金北京有色金属研究总院创新基金北京有色金属研究总院青年基金更多>>; 相关领域：一般工业技术化学工程电气工程电子电信更多>>

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一种基于PDMS振膜的MEMS静电执行器及制作方法: 本发明公开了一种基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)振膜的静电执行器及制作方法。该具有静电执行器是以PDMS薄膜作为可以往复运动的高弹性薄膜作为振膜形成执行器部件，与以往全Si静电执行器相比，本发明所述基于PDMS静电执行器不...; 魏峰赵鸿滨苑鹏杨志民杜军徐瑶华; 文献传递

过渡族元素掺杂的钛酸锶钡基复合陶瓷及其制备方法: 本发明涉及一种过渡族元素掺杂的钛酸锶钡基复合陶瓷，其组成包括40wt％的xM-Ba0.6Sr0.4TiO3和60wt％的MgO，其中M为过渡金属，x为过渡...; 董桂霞崔建东杨志民宋占永

一种基于曲线电极结构的平板脉冲形成线: 本实用新型特别涉及一种基于曲线电极结构的平板脉冲形成线，其包括中部的陶瓷介质板(1)，陶瓷介质板(1)的一侧布置曲线结构电极(2)，另一侧布置满结构电极(2)，或上下两侧均布置曲线结构电极(2)，上下电极(2)的两端设有...; 张庆猛唐群杨志民杜军; 文献传递

一种基于玻璃陶瓷介质的高压大容量固态耦合电容器: 本实用新型公开了属于电力电容器技术领域的一种基于玻璃陶瓷介质的高压大容量固态耦合电容器。该耦合电容器包括玻璃陶瓷介质片、银电极、金属引线、电极端子、环氧树脂包封层和金属嵌件；其中，玻璃陶瓷介质片采用具有高介电常数和高击穿...; 张庆猛唐群杜军杨志民; 文献传递

一种钨铝复合材料的表面改性方法: 本发明属于表面热处理技术领域，具体涉及一种钨铝复合材料的表面改性方法。本发明通过高频感应加热炉对钨铝复合材料进行表面热处理，使材料表面形成钨铝合金间化合物保护层，该保护层致密度良好，不存在明显的孔洞或裂纹。本发明的改性方...; 马书旺王军锋苟醒梁秋实杨剑刘坤王健杨志民

单脉冲电沉积Ni-Fe合金磁性镀层的方法: 本发明公开了一种单脉冲电沉积Ni-Fe合金磁性镀层的方法，在含有镍离子和铁离子的电镀液中，以可溶性镍铁合金为阳极，以经表面处理的铝合金为阴极，采用单脉冲电沉积法制备Ni-Fe合金镀层；其中，电沉积时间为1-4h，脉冲电流...; 刘坤马书旺杨剑梁秋实杨志民杨林杨航东毛昌辉杜军; 文献传递

一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xBaO‑ySrO‑zPbO‑wTiO2‑vSiO2‑tNb2...; 张庆猛陈均优唐群杨志民杨剑毛昌辉杜军

一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法: 本发明公开了一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法。该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极...; 赵鸿滨屠海令魏峰杨志民陈博昊; 文献传递

无需激活Ti基吸氢材料的制备及性能研究被引量：1: 2022年; 真空工作腔内的残余氢气会对砷化镓功率放大器造成严重危害,在器件内部预置吸氢材料是解决这一问题的有效技术途径。由于砷化镓器件内部有低熔点的焊料,要求吸氢材料在使用时应避免高温激活处理程序。报道一种满足该要求的无需激活吸氢材料,该材料以吸氢量较大的钛箔作为基体材料,经酸洗处理后,采用磁控溅射工艺在其表面沉积一层钯膜。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)表征了Pd膜的表面及截面的微观形貌和晶体结构,通过X射线光电子能谱(XPS)分析了Pd膜的表面元素价态,利用定容法测试了材料的吸氢性能。结果表明,Pd/Ti样品的吸氢主体是Ti箔,合适的酸洗工艺可以有效去除Ti箔的氧化层,有利于提高材料的吸氢性能;Pd/Ti样品经真空退火处理更进一步提高吸氢性能。表面元素价态分析表明,经磁控溅射沉积的Pd膜为金属态。在Pd膜的保护作用下,样品经真空退火并暴露大气24 h后,在测试温度为27℃、测试氢压为1000 Pa条件下,仍具有较高的吸氢性能,12 h的累积吸氢量可达191.98 Pa·L·cm^(-2)。; 史志胜熊玉华熊玉华杨志民刘晓鹏杨志民; 关键词：酸洗磁控溅射吸氢性能

Ni修饰层对SnO_2薄膜气敏性能影响被引量：5: 2006年; 采用磁控溅射技术在SnO2薄膜表面修饰金属Ni，研究Ni修饰量对SnO2薄膜气敏性能影响。对Ni-SnO2薄膜进行表面成分分析，发现Ni的表面含量和化学价态对Ni-SnO2薄膜气敏性能影响至关重要。Ni的表面修饰量在3．4％-8．8％之间将有效提高SnO2薄膜对低浓度氢气的敏感性能。180℃工作温度下，表面含Ni3．4％的SnO2薄膜对1000ppm的氢气灵敏度最高为59．6，同时响应时间和恢复时间降低至15s和125s。Ni修饰量增加到23．4％，薄膜的气敏性能恶化，这是因为修饰层过厚，阻碍气体与SnO2材料接触。同时，XPS证实NiO是增加SnO2薄膜气敏性能的主要物质，增敏机理解释为Ni氧化后形成的NiO在SnO2薄膜上形成p-n结，促进元件的电导变化，从而提高了薄膜的气敏性能。; 王磊杜军毛昌辉杨志民; 关键词：SNO2 NI 表面修饰气体传感器